[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011309789.0 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112909017A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 郑壎;申澈相;许珍 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京桥;姜婷 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,其包括设置有多个子像素的有源区域和定位在所述有源区域外部的非有源区域;
设置在所述基板上的多个薄膜晶体管;以及
平坦化层,其设置在所述基板上的所述非有源区域和所述有源区域的至少一部分中,
其中,所述多个薄膜晶体管中的至少一个包括:
所述基板上的第一栅电极;
所述第一栅电极上的半导体层;以及
所述半导体层上的第二栅电极,
其中,所述平坦化层位于设置有所述第二栅电极的层与设置有所述半导体层的层之间的层中,并且
所述平坦化层被设置在除了其中所述半导体层的沟道区域与所述第二栅电极相交叠的区域以外的区域的至少一部分上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二栅电极通过接触孔电连接至所述第一栅电极,所述接触孔被包括在除了设置有所述半导体层的区域以外的区域中的所述平坦化层中。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二栅电极与所述第一栅电极绝缘,并且向所述第二栅电极提供与提供至所述第一栅电极的信号相同的信号。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二栅电极的一部分位于所述平坦化层上。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二栅电极与设置有在所述子像素中设置的像素电极和公共电极中的至少一个的层位于同一层中。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二栅电极与所述像素电极和所述公共电极中的位于更上层上的电极位于同一层中。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第二栅电极与所述像素电极位于同一层中,并且所述公共电极位于所述像素电极上且被设置在所述子像素的整个区域上。
8.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
第一栅极绝缘层,其位于所述第一栅电极与所述半导体层之间;以及
第二栅极绝缘层,其位于所述半导体层与所述第二栅电极之间,并且位于所述平坦化层下方。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述平坦化层露出所述第二栅极绝缘层的一部分。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述半导体层是氧化物半导体层。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述半导体层包括第一氧化物半导体层和设置在所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层,并且
其中,所述第一氧化物半导体层中包括的材料的组成比与所述第二氧化物半导体层中包括的材料的组成比不同。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层中的一个具有含量比为1:1:1的铟、镓、和锌,并且另一个具有高于铟的含量和锌的含量的镓的含量。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,包括所述第二栅电极的薄膜晶体管被设置在所述非有源区域上,并且电连接至设置在所述有源区域上的栅极线。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,包括所述第二栅电极的薄膜晶体管被设置在所述非有源区域上,并且电连接在设置在所述非有源区域上的链接线与设置在所述有源区域上的数据线之间,并且
电连接至第一数据线的第一薄膜晶体管和电连接至第二数据线的第二薄膜晶体管电连接至同一链接线。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,包括所述第二栅电极的薄膜晶体管被设置在所述有源区域上,并且电连接至设置在所述子像素中的像素电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的