[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011309789.0 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112909017A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 郑壎;申澈相;许珍 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐京桥;姜婷 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开内容的实施方式涉及显示装置,设置在显示面板中的薄膜晶体管上的平坦化层被去除,以在平坦化层中形成开口,并且顶栅电极被设置在平坦化层的开口中,因此薄膜晶体管的驱动性能被增强,同时减小了设置在显示面板中的薄膜晶体管的尺寸。此外,使用位于平坦化层的上层上的电极层来实现顶栅电极,在没有另外的处理的情况下容易地实现了包括双栅电极的薄膜晶体管。
相关申请的交叉引用
该申请要求2019年12月4日提交的韩国专利申请第10-2019-0159571号的优先权,出于所有目的,其在此通过引用被并入,如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及显示装置。
背景技术
信息社会的发展导致对显示图像的显示装置和使用各种类型的显示装置(例如,液晶显示装置、有机发光显示装置等)的需求增加。
显示装置可以包括具有多个子像素和各种信号线以及提供用于驱动子像素的信号或电压的各种驱动电路的显示面板。并且在一些情况下,驱动电路可以设置在显示面板上。
设置在显示面板中的驱动电路或子像素可以包括各种电路元件,例如,薄膜晶体管。并且薄膜晶体管的尺寸可以根据所需的性能而增加。
如果设置在显示面板中的薄膜晶体管的尺寸增加,则可以增加显示面板的边框区域,并且可以减小显示面板的有源区域中的孔径比。因此,需要实现具有高性能的薄膜晶体管同时减小设置薄膜晶体管的面积的方法。
发明内容
本公开内容的实施方式提供用于在没有增加薄膜晶体管的尺寸的情况下增强设置在显示面板上的薄膜晶体管的驱动性能的方法。
本公开内容的实施方式提供用于在没有用于增强薄膜晶体管的性能的另外的处理的情况下增强设置在显示面板上的薄膜晶体管的驱动性能的方法。
根据本公开内容的各种实施方式,显示装置包括:基板,其包括设置有多个子像素的有源区域和定位在有源区域外部的非有源区域;设置在基板上的多个薄膜晶体管;以及平坦化层,其设置在基板上的非有源区域和有源区域的至少一部分中;其中,多个薄膜晶体管中的至少一个包括:基板上的第一栅电极;第一栅电极上的半导体层;以及半导体层上的第二栅电极。
在此,平坦化层位于设置有第二栅电极的层与设置有半导体层的层之间的层中,并且平坦化层被设置在除了其中半导体层的沟道区域与第二栅电极相交叠的区域以外的区域的至少一部分上。并且第二栅电极的部分可以位于平坦化层上。
第二栅电极可以通过接触孔电连接至第一栅电极,接触孔被包括在除了设置有半导体层的区域以外的区域中的平坦化层中。
可替选地,第二栅电极与第一栅电极绝缘,并且向第二栅电极提供与提供至第一栅电极的信号相同的信号。
根据本公开内容的各种实施方式,显示装置包括:多条第一栅极线;多个半导体层,多个半导体层位于第一栅极线上,并且与第一栅极线的部分交叠;平坦化层,其位于半导体层上,并且被设置在除了设置有半导体层的区域的至少一部分以外的区域上;以及多条第二栅极线,多条第二栅极线位于半导体层和平坦化层上,并且与第一栅极线和半导体层相交叠的区域的至少一部分交叠。
根据本公开内容的各种实施方式,显示装置包括:基板;设置在基板上的多个薄膜晶体管;平坦化层,其设置在薄膜晶体管上,并且包括位于与薄膜晶体管交叠的区域中的至少一个开口;以及多个辅助电极图案,多个辅助电极图案设置在平坦化层中包括的开口中,并且设置在平坦化层上的区域的部分上。
根据本公开内容的各种实施方式,设置在包括底栅电极的薄膜晶体管的沟道区域上的平坦化层被去除,并且顶栅电极被设置在那个区域上,因此,可以实现具有高性能的薄膜晶体管,同时减小设置薄膜晶体管的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的