[发明专利]封装件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202011310609.0 申请日: 2020-11-20
公开(公告)号: CN113140516A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 林士庭;卢思维;陈伟铭;丁国强;侯上勇;吴集锡 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L25/16
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种形成封装件的方法,包括:

形成器件结构,包括:

将第一管芯连接到第一中介层;

将第二管芯连接至第二中介层;和

在所述第一中介层和所述第二中介层上方形成第一再分布结构,其中,所述第一再分布结构将所述第一中介层电连接到所述第二中介层;以及

形成封装件结构,包括:

将第一表面安装器件和所述器件结构附接到第一载体;

用第一密封剂密封所述第一表面安装器件和所述器件结构,以形成具有顶表面和底表面的密封结构;

将所述密封结构的顶表面附接到第二载体;和

在所述密封结构的底表面上方形成第二再分布结构,其中,所述第二再分布结构将所述第一表面安装器件和所述器件结构电连接。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,形成所述封装件结构还包括将第二表面安装器件附接到所述第一载体,其中,所述第二表面安装器件具有与所述第一表面安装器件不同的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括平坦化所述密封结构,其中,在平坦化所述密封结构之后,所述第一管芯的顶表面和所述第一密封剂的顶表面是水平的。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,形成器件结构还包括用第二密封剂密封所述第一中介层和所述第二中介层,其中,所述第一再分布结构在所述第二密封剂上方延伸。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一表面安装器件的厚度小于所述密封结构的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法,还包括在将所述第一管芯连接到所述第一中介层之后,在所述第一中介层上方形成第一再分布结构之前,电测试所述第一管芯。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二再分布结构的侧壁与所述密封结构的侧壁共面。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,还包括在所述第二再分布结构上形成外部连接件。

9.一种形成封装件的方法,包括:

将多个半导体器件附接到中介层结构;

将所述中介层结构附接到第一载体衬底;

将多个集成无源器件附接到所述第一载体衬底;

在所述多个半导体器件和所述多个集成无源器件上方形成密封剂;

分离所述第一载体衬底;

将所述密封剂和所述多个半导体器件附接到第二载体衬底;

在所述密封剂、所述中介层结构和所述多个集成无源器件上形成第一再分布结构,其中,所述第一再分布结构接触所述中介层结构和所述多个集成无源器件;以及

在所述第一再分布结构上形成多个外部连接件。

10.一种封装件,包括:

器件衬底;以及

器件结构,附接到所述器件衬底的第一侧,所述器件结构包括:

第一中介层;

第二中介层;

多个第一半导体器件,附接到所述第一中介层;

多个第二半导体器件,附接到所述第二中介层;和

第一再分布结构,连接到所述第一中介层和所述第二中介层。

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