[发明专利]封装件及其形成方法

说明书

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。一种形成封装件的方法包括将半导体器件附接到中介层结构，将中介层结构附接到第一载体衬底，将集成的无源器件附接到第一载体衬底，在半导体器件和集成的无源器件上方形成密封剂，将第一载体衬底分离，将密封剂和半导体器件附接到第二载体衬底，在密封剂、中介层结构和集成无源器件上形成第一再分布结构，其中，第一再分布结构接触中介层结构和集成无源器件，以及在第一再分布结构上的形成外部连接件。

技术领域

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。

背景技术

自集成电路(IC)的发展以来，由于各种电子部件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)在集成密度方面不断提高，半导体产业经历了持续快速的增长。大多数情况下，集成密度的提高来自最小部件尺寸的不断减小，这使得更多的部件可以集成到给定区域中。

这些集成的改进本质上是二维(2D)的，因为集成部件占据的区域基本上是在半导体晶圆的表面上。增加的密度和相应的集成电路面积的减小通常已经超过了将集成电路芯片直接结合到衬底上的能力。中介层已用于从芯片区域到较大的中介层区域重新分配球接触区域。此外，中介层已允许包括多个芯片的三维封装件。也已开发其他封装件来合并三维的层面。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种形成封装件的方法，包括：形成器件结构，包括：将第一管芯连接到第一中介层；将第二管芯连接至第二中介层；和在第一中介层和第二中介层上方形成第一再分布结构，其中，第一再分布结构将第一中介层电连接到第二中介层；以及形成封装件结构，包括：将第一表面安装器件(SMD)和器件结构附接到第一载体；用第一密封剂密封第一SMD和器件结构，以形成具有顶表面和底表面的密封结构；将密封结构的顶表面附接到第二载体；和在密封结构的底表面上方形成第二再分布结构，其中，第二再分布结构将第一SMD和器件结构电连接。

根据本发明的另一个方面，一种形成封装件的方法，包括：将多个半导体器件附接到中介层结构；将中介层结构附接到第一载体衬底；将多个集成无源器件附接到第一载体衬底；在多个半导体器件和多个集成无源器件上方形成密封剂；分离第一载体衬底；将密封剂和多个半导体器件附接到第二载体衬底；在密封剂、中介层结构和多个集成无源器件上形成第一再分布结构，其中，第一再分布结构接触中介层结构和多个集成无源器件；以及在第一再分布结构上形成多个外部连接件。

根据本发明的又一个方面，提供了一种封装件，包括：器件衬底；和器件结构，附接到器件衬底的第一侧，器件结构包括：第一中介层；第二中介层；多个第一半导体器件，附接到第一中介层；多个第二半导体器件，附接到第二中介层；和第一再分布结构，连接到第一中介层和第二中介层。

附图说明

当结合参考附图进行阅读时，根据下文具体的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘出且仅用于示出的目的。事实上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1-图2是根据一些实施例在形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图3A-图3C是根据一些实施例在形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的截面图和平面图。

图4-图9是根据一些实施例在形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。

图10-图13是根据一些实施例在形成器件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。

图14是根据一些实施例在形成器件封装件的工艺期间的中间步骤的平面图。

图15是根据一些实施例的器件封装件的示意图。

图16A-图16C是根据一些实施例在形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。

图17-图22是根据一些实施例在形成封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。