[发明专利]存储单元、掩膜版以及SRAM器件

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括沿第一方向并行排布的电源区、位线区和接地区，且在第二方向上，所述位线区位于所述电源区和接地区之间，所述第二方向和第一方向垂直；

位线金属层，位于所述位线区，且所述位线金属层沿所述第一方向延伸；

多个分立的接地金属层，沿第一方向排布于所述接地区；

多个分立的电源金属层，沿第一方向排布于所述电源区。

2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述电源区、位线区和接地区作为单元区，所述基底包括矩阵式间隔排布的多个所述单元区，且相邻所述单元区中的所述电源区在所述第二方向上相邻，且两个所述电源区中的所述电源金属层在所述第一方向上相互错开，且两个所述电源区中的所述电源金属层在所述第二方向上相间隔。

3.如权利要求1或2所述的存储单元，其特征在于，在所述第一方向上，相邻所述电源金属层的间隔，与所述电源金属层的尺寸的数值比例为1至1.5。

4.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：栅极结构，位于所述位线区和所述接地区之间，以及所述电源区和所述位线区之间；

源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述基底上；

源漏插塞，位于所述源漏掺杂层上；

插塞互连结构，位于所述源漏掺杂层上。

5.如权利要求1或4所述的存储单元，其特征在于，

所述存储单元包括：第一通孔互连结构，位于所述接地金属层、位线金属层以及多个分立的电源金属层上；

第一金属层，位于所述第一通孔互连结构上；

第二通孔互连结构，位于所述第一金属层上；

第二金属层，位于所述电源区的所述第二通孔互连结构上。

6.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括：多个分立的字线金属层，沿第一方向排布于所述接地区，所述字线金属层与所述接地金属层相间隔。

7.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：上拉晶体管、下拉晶体管以及传输门晶体管；

所述电源金属层用于与所述上拉晶体管连接。

8.一种掩膜版，用于形成存储单元，所述存储单元包括半导体结构，所述半导体结构包括：

基底，所述基底包括沿第一方向并行排布的电源区、位线区和接地区，且在第二方向上，所述位线区位于所述电源区和接地区之间，所述第二方向和第一方向垂直；

所述掩膜版，其特征在于，包括：

位线金属图形，用于在所述位线区中形成沿第一方向延伸的位线金属层；

多个间隔排布的接地金属图形，用于在所述接地区中形成多个沿第一方向分立的接地金属层；

多个间隔排布的电源金属图形，用于在所述电源区中形成多个沿第一方向分立的电源金属层。

9.如权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述位线金属图形、多个间隔排布的接地金属图形以及多个间隔排布的电源金属图形作为单元图形，所述掩膜版包括矩阵式间隔排布的多个所述单元图形；

在垂直于所述位线金属图形的延伸方向上，两个所述单元图形中的所述电源金属图形相间隔；

在所述位线金属图形的延伸方向上，两个所述单元图形中的所述电源金属图形相互错开。

10.如权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述电源区、位线区和接地区作为单元区，所述基底包括矩阵式间隔排布的多个所述单元区；

相邻所述单元区中的所述电源区在所述第二方向上相邻，或者，相邻所述单元区中的所述接地区在所述第二方向上相邻；

所述掩膜版设置为在存储单元中，使形成在两个所述电源区中的所述电源金属层在所述第一方向上相互错开，且两个所述电源区中的所述电源金属层在所述第二方向上相间隔。