[发明专利]存储单元、掩膜版以及SRAM器件

说明书

一种存储单元、掩膜版以及SRAM器件，存储单元包括：基底，基底包括沿第一方向并行排布的电源区、位线区和接地区，且在第二方向上，位线区位于电源区和接地区之间，第二方向和第一方向垂直；位线金属层，位于位线区，且位线金属层沿第一方向延伸；多个分立的接地金属层，沿第一方向排布于接地区；多个分立的电源金属层，沿第一方向排布于电源区。本申请实施例中，在第一方向上，多个电源金属层间隔排布，电源金属层呈岛状(island)，与位线金属层之间的空间更大，从而多个间隔排布的电源金属层与位线金属层的电容耦合效应较弱，在存储单元工作时，能够降低存储单元的RC延迟，提高存储单元的读取性能。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储单元、掩膜版以及SRAM器件。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑、存储器和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。随着半导体技术发展，对存储器件进行更为广泛的应用，需要将所述存储器件与其他器件区同时形成在一个芯片上，以形成嵌入式半导体存储装置。例如将所述存储器件内嵌置于中央处理器，则需要使得所述存储器件与嵌入的中央处理器平台进行兼容，并且保持原有的存储器件的规格及对应的电学性能。

一般地，需要将所述存储器件与嵌入的标准逻辑装置进行兼容。对于嵌入式半导体器件来说，其通常分为逻辑区和存储区，逻辑区通常包括逻辑器件，存储区则包括存储器件。随着存储技术的发展，出现了各种类型的半导体存储器，例如静态随机随机存储器(SRAM，Static Random Access Memory)、动态随机存储器(DRAM，Dynamic Random AccessMemory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM，Erasable Programmable Read-Only Memory)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM，Electrically Erasable Programmable Read-Only)和闪存(Flash)。由于静态随机存储器具有低功耗和较快工作速度等优点，使得静态随机存储器及其形成方法受到越来越多的关注。

SRAM单元具有在不需要刷新的情况下保存数据的优点。随着对集成电路速度的要求越来越高，SRAM单元的读取速度和写入速度也变得更加重要。此外，分别需要足够的读裕度和写裕度来实现可靠的读写操作。然而，随着已经非常小的SRAM单元的持续缩小，这些要求变得越来越苛刻。

发明内容

本申请实施例解决的问题是提供一种存储单元、掩膜版以及SRAM器件，提升器件的电学性能。

为解决上述问题，本申请实施例提供一种存储单元，包括：基底，所述基底包括沿第一方向并行排布的电源区、位线区和接地区，且在第二方向上，所述位线区位于所述电源区和接地区之间，所述第二方向和第一方向垂直；位线金属层，位于所述位线区，且位线金属层沿所述第一方向延伸；多个分立的接地金属层，沿第一方向排布于所述接地区；多个分立的电源金属层，沿第一方向排布于所述电源区。

相应的，本申请实施例还提供一种掩膜版，用于形成存储单元，所述存储单元包括半导体结构，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括沿第一方向并行排布的电源区、位线区和接地区，且在第二方向上，所述位线区位于所述电源区和接地区之间，所述第二方向和第一方向垂直；所述掩膜版，其特征在于，包括：位线金属图形，用于在所述位线区中形成沿第一方向延伸的位线金属层；多个间隔排布的接地金属图形，用于在所述接地区中形成多个沿第一方向分立的接地金属层；多个间隔排布的电源金属图形，用于在所述电源区中形成多个沿第一方向分立的电源金属层。