[发明专利]电子元器件瑕疵定位方法及存储介质有效
| 申请号： | 202011312737.9 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112461844B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 赖灿雄;阮泳嘉;陈选龙;杨少华;李树旺;廖文渊;黄云;路国光 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01N21/88 | 分类号： | G01N21/88;G01N25/72;G01N23/2255 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王程 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子元器件 瑕疵 定位 方法 存储 介质 | ||
1.一种电子元器件瑕疵定位方法，其特征在于，包括：
通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像，其中，所述第一成像技术包括红外显微技术、微光显微技术或OBRICH激光扫描显微技术；
根据所述第一瑕疵图像利用聚焦离子束的刻蚀功能，对瑕疵点所在区域进行标记，在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；
通过所述第一成像技术对所述瑕疵点所在区域进行成像，获取所述电子元器件的第二瑕疵图像；
根据所述第二瑕疵图像获取所述瑕疵点与所述标志点间的相对位置信息；
通过第二成像技术对所述标志点进行成像，获取所述标志点的位置信息，其中，所述第二成像技术包括聚焦离子束技术；
根据所述相对位置信息以及所述标志点的位置信息确定所述瑕疵点的位置信息；
根据所述瑕疵点的位置信息，通过所述第二成像技术对所述瑕疵点进行刻蚀，获取所述电子元器件的瑕疵点剖面形貌。
2.根据权利要求1所述的电子元器件瑕疵定位方法，其特征在于，在所述通过第二成像技术对所述标志点进行成像，获取所述标志点的位置信息之前，还包括：
判断所述瑕疵点与所述标志点间的相对位置信息是否在预设范围内；
若所述相对位置信息不在预设范围内，则再次在所述瑕疵点所在区域刻蚀标志点，直至所述瑕疵点与新的标志点间的相对位置信息在预设范围内。
3.根据权利要求1或2所述的电子元器件瑕疵定位方法，其特征在于，所述相对位置信息包括相对坐标信息和/或间隔的重复单元结构数量信息。
4.根据权利要求1所述的电子元器件瑕疵定位方法，其特征在于，所述第二瑕疵图像的图像精度高于所述第一瑕疵图像的图像精度。
5.根据权利要求1所述的电子元器件瑕疵定位方法，其特征在于，所述第二成像技术的成像精度高于所述第一成像技术的成像精度。
6.根据权利要求1所述的电子元器件瑕疵定位方法，其特征在于，所述电子元器件的瑕疵包括缺陷、损伤。
7.根据权利要求1所述的电子元器件瑕疵定位方法，其特征在于，所述电子元器件为面阵光电探测器。
8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的电子元器件瑕疵定位方法的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）），未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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