[发明专利]电子元器件瑕疵定位方法及存储介质

说明书

本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，公开了一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质，包括通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像；根据第一瑕疵图像在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；通过第一成像技术对瑕疵点所在区域进行成像，获取电子元器件的第二瑕疵图像；根据第二瑕疵图像获取瑕疵点与标志点间的相对位置信息；通过第二成像技术对标志点进行成像，获取标志点的位置信息；根据相对位置信息以及标志点的位置信息确定瑕疵点的位置信息；根据瑕疵点的位置信息，通过第二成像技术对瑕疵点进行刻蚀，获取电子元器件的瑕疵点剖面形貌。本发明可以实现对表面具有明显损伤或表面无损伤形貌的电子元器件内部的瑕疵进行定位，且定位精度高。

技术领域

本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，特别是涉及一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质。

背景技术

随着面阵光电探测器的快速发展和应用，人们对于面阵光电探测器的可靠性要求也不断提高，因此对其失效分析技术提出了更高的要求。现有的技术方案在针对面阵光电探测器的微小缺陷/损伤点进行定位分析检测时，仅能对较明显的表面缺陷/损伤形貌进行定位分析，对于无明显表面特征的内部缺陷/损伤则无法通过上述技术进行表面成像观察定位。

发明内容

基于此，有必要针对现有的缺陷检测方法不能对面阵光电探测器内部的微小缺陷或损伤实现定位检测的问题，提供一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质。

一种电子元器件瑕疵定位方法，包括通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像；根据所述第一瑕疵图像在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；通过所述第一成像技术对所述瑕疵点所在区域进行成像，获取所述电子元器件的第二瑕疵图像；根据所述第二瑕疵图像获取所述瑕疵点与所述标志点间的相对位置信息；通过第二成像技术对所述标志点进行成像，获取所述标志点的位置信息；根据所述相对位置信息以及所述标志点的位置信息确定所述瑕疵点的位置信息；根据所述瑕疵点的位置信息，通过所述第二成像技术对所述瑕疵点进行刻蚀，获取所述电子元器件的瑕疵点剖面形貌。

上述电子元器件瑕疵定位方法，首先通过第一成像技术对有明显瑕疵的位置进行初步观察成像，获取电子元器件的第一瑕疵图像。根据第一瑕疵图像中显示的瑕疵点，在瑕疵点所在区域附近刻蚀出标志点的孔洞，标记出大致的瑕疵点位置。其次，再次使用所述第一成像技术对瑕疵点进行进一步的精确定位，获取所述电子元器件的第二瑕疵图像。根据所述第二瑕疵图像判断所述瑕疵点与所述标志点之间的距离，并获得所述瑕疵点与所述标志点之间的相对位置信息。通过第二成像技术对标志点所在区域进行成像，以获得所述标志点的位置信息。根据所述标志点的位置信息结合之前获取的所述相对位置信息，进一步对电子元器件瑕疵点进行准确定位，并通过第二成像技术在所述瑕疵点的位置进行刻蚀获取所述瑕疵点的剖面，获取所述瑕疵点剖面形貌，从而实现对电子元器件表面或内部瑕疵点的精确定位与瑕疵点剖面形貌分析。

在其中一个实施例中，在所述通过第二成像技术对所述标志点进行成像，获取所述标志点的位置信息之前，还包括判断所述瑕疵点与所述标志点间的相对位置信息是否在预设范围内；若所述相对位置信息不在预设范围内，则再次在所述瑕疵点所在区域刻蚀标志点，直至所述瑕疵点与新的标志点间的相对位置信息在预设范围内。

在其中一个实施例中，所述相对位置信息包括相对坐标信息和/或间隔的重复单元结构数量信息。

在其中一个实施例中，所述第二瑕疵图像的图像精度高于所述第一瑕疵图像的图像精度。

在其中一个实施例中，所述第二成像技术的成像精度高于所述第一成像技术的成像精度。

在其中一个实施例中，所述第一成像技术包括红外显微技术、微光显微技术或OBRICH激光扫描显微技术。

在其中一个实施例中，所述第二成像技术包括聚焦离子束技术。

在其中一个实施例中，所述电子元器件的瑕疵包括缺陷、损伤。

在其中一个实施例中，所述电子元器件为面阵光电探测器。