[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202011313026.3 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN113555358A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 游家权;朱熙甯;江国诚;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包含：
一第一栅极电极层；
一第二栅极电极层，相邻该第一栅极电极层；
一第三栅极电极层，相邻该第二栅极电极层；
一第一介电质特征部，置于该第一栅极电极层与该第二栅极电极层之间；
一第二介电质特征部，置于该第二栅极电极层与该第三栅极电极层之间；
一第一晶种层，接触该第一栅极电极层、该第一介电质特征部与该第二栅极电极层；
一第一导体层，置于该第一晶种层上；
一第二晶种层，接触该第三栅极电极层；
一第二导体层，置于该第二晶种层上；及
一介电质材料，置于该第二介电质特征部、该第一导体层与该第二导体层上，其中该介电质材料是在该第一晶种层与该第二晶种层之间且在该第一导体层与该第二导体层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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