[发明专利]半导体装置结构

说明书

半导体装置结构包含第一、第二与第三栅极电极层、第一与第二介电质特征部、第一晶种层、第一导体层、第二晶种层、第二导体层与介电质材料。第一介电质特征部置于第一与第二栅极电极层之间。第二介电质特征部置于第二与第三栅极电极层之间。第一晶种层接触第一栅极电极层、第一介电质特征部与第二栅极电极层。第一导体层置于第一晶种层上。第二晶种层接触第三栅极电极层。第二导体层置于第二晶种层上。介电质材料置于第二介电质特征部、第一与第二导体层上。介电质材料是在第一晶种层与第二晶种层之间且在第一导体层与第二导体层之间。

技术领域

本揭露的一些实施例是关于一种半导体装置结构，特别是关于一种包含晶种层的半导体装置结构。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit,IC)的成长非常迅速，集成电路材料与设计的进步使得每一代的电路比起前一代尺寸更小且更复杂。在集成电路的进步过程当中，当几何大小(例如可透过制程生产出的最小元件或线)变小时，功能密度(例如每晶片面积所接触的装置数)通常会随之上升。此缩小化制程通常可带来增加产出效率及降低相关成本的优势，并且也增加生产集成电路的困难度。

因此，需要再进一步优化集成电路的制程。

发明内容

实施例是一种半导体装置结构。半导体装置包含第一栅极电极层、第二栅极电极层、第三栅极电极层、第一介电质特征部、第二介电质特征部、第一晶种层、第一导体层、第二晶种层、第二导体层与介电质材料。第二栅极电极层相邻第一栅极电极层。第三栅极电极层相邻第二栅极电极层。第一介电质特征部置于第一栅极电极层与第二栅极电极层之间。第二介电质特征部置于第二栅极电极层与第三栅极电极层之间。第一晶种层接触第一栅极电极层、第一介电质特征部与第二栅极电极层。第一导体层置于第一晶种层上。第二晶种层接触第三栅极电极层。第二导体层置于第二晶种层上。介电质材料置于第二介电质特征部、第一导体层与第二导体层上，其中介电质材料是在第一晶种层与第二晶种层之间且在第一导体层与第二导体层之间。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时，可最好地理解本揭露的态样。应注意，根据业内的标准惯例，各种特征部并未按比例绘制。事实上，为了讨论清楚起见，可任意增大或减小各种特征部的尺寸。

图1至图18是根据一些实施例于半导体装置结构的各制造阶段的立体图；

图19至图20是根据一些实施例于半导体装置结构的各制造阶段中，沿着图18中的线A-A的剖视图；

图21是根据一些实施例于图20中的半导体装置结构的俯视图；

图22A至图22C是根据一些实施例于半导体装置结构的各制造阶段中，分别沿着图21中的线B-B、C-C、D-D的剖视图；

图23A至图30A是根据一些实施例于半导体装置结构的各制造阶段中，沿着图21中的线A-A的剖视图；

图23B至图30B是根据一些实施例于半导体装置结构的各制造阶段中，沿着图21中的线B-B的剖视图；

图23C至图30C是根据一些实施例于半导体装置结构的各制造阶段中，沿着图21中的线C-C的剖视图；

图23D至图30D是根据一些实施例于半导体装置结构的各制造阶段中，沿着图21中的线D-D的剖视图；

图31是根据一些实施例于半导体装置结构的其中一个制造阶段中，沿着图21中的线A-A的剖视图。

【符号说明】

100:半导体装置结构

101:基板

102a:基板部分

102b:基板部分

102c:基板部分