[发明专利]一种大块体单晶铜的制备方法有效
| 申请号： | 202011315499.7 | 申请日： | 2020-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN112553681B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈斌;李鹤;赵峰 | 申请（专利权）人： | 嘉兴固美科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B1/12;C30B29/02;C21D9/00;C22F1/02;C22F1/08;C25F3/22 |
| 代理公司： | 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 张抗震 |
| 地址： | 314305 浙江省嘉兴市海盐县西塘桥街*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 块体 单晶铜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大块体单晶铜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将多晶铜坯料在熔点以下高温退火处理，得到等轴晶粒多晶铜；
(2)将步骤(1)退火后的等轴晶粒多晶铜坯料挤压成型，获得多晶铜集合体；
(3)将步骤(2)挤压成型的多晶铜集合体在高温再次进行退火处理，即得到块体单晶铜。
2.根据权利要求1所述的大块体单晶铜的制备方法，其特征在于，所使用的多晶铜坯料的纯度为99.9999％。
3.根据权利要求1所述的大块体单晶铜的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中先对多晶铜集合体进行酸洗并干燥，放入石英管对干燥后的多晶铜集合体封装，再进行退火处理。
4.根据权利要求3所述的大块体单晶铜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，使用管式炉对多晶铜集合体进行退火处理。
5.根据权利要求1所述的大块体单晶铜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，退火处理后进行表面抛光。
6.根据权利要求1至5任一项所述的大块体单晶铜的制备方法，其特征在于，所述多晶铜集合体的截面为圆形。
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