[发明专利]集成电路、存储器器件及其操作方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一静态随机存取存储器，具有第一端口和第二端口；

第一组传输晶体管；以及

第一组磁性隧道结单元，所述第一组磁性隧道结单元中的每个和所述第一组传输晶体管中的对应一个彼此串联耦合在第一选择线和所述第一静态随机存取存储器的所述第一端口之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

第二组传输晶体管；以及

第二组磁性隧道结单元，所述第二组磁性隧道结单元中的每个与所述第二组传输晶体管中的对应一个彼此串联耦合在第二选择线和所述第一静态随机存取存储器的所述第二端口之间。

3.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

第二静态随机存取存储器，具有第三端口和第四端口；

第二组传输晶体管；以及

第二组磁性隧道结单元，所述第二组磁性隧道结单元和所述第二组传输晶体管中的对应一个彼此串联耦合在第二选择线和所述第二静态随机存取存储器的所述第三端口之间。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第一组磁性隧道结单元中的第一参考磁性隧道结单元通过第一参考线耦合到所述第二组磁性隧道结单元中的第二参考磁性隧道结单元。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第一参考线连接：

与所述第一组传输晶体管中的一个耦合的所述第一组磁性隧道结单元的所述第一参考磁性隧道结单元的电极，以及

与所述第二组传输晶体管中的一个耦合的所述第二组磁性隧道结单元的所述第二参考磁性隧道结单元的电极。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第一参考线耦合到所述第一组磁性隧道结单元的所述第一参考磁性隧道结单元的固定层和所述第二组磁性隧道结单元的所述第二参考磁性隧道结单元的自由层。

7.根据权利要求4所述的集成电路，还包括：

第三组传输晶体管；

第三组磁性隧道结单元，所述第三组磁性隧道结单元中的每个和所述第三组传输晶体管中的对应一个耦合在第三选择线和所述第一静态随机存取存储器的第二端口之间；

第四组传输晶体管；以及

第四组磁性隧道结单元，所述第四组磁性隧道结单元中的每个和所述第四组传输晶体管中的对应一个耦合在第四选择线与所述第二静态随机存取存储器的所述第四端口之间。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述第三组磁性隧道结单元中的第三参考磁性隧道结单元通过第二参考线耦合到所述第四组磁性隧道结单元中的第四参考磁性隧道结单元。

9.一种存储器器件，包括：

第一静态随机存取存储器；

第二静态随机存取存储器；

第一组磁性隧道结单元，耦合到所述第一静态随机存取存储器；

第二组磁性隧道结单元，耦合到所述第二静态随机存取存储器；以及

存储器控制器，用于：

在第一时间段期间通过所述第一静态随机存取存储器将第一位写入所述第一组磁性隧道结单元中的一个，和

在第二时间段期间通过所述第二静态随机存取存储器将第二位写入所述第二组磁性隧道结单元中的一个，所述第一时间段和所述第二时间段彼此部分地重叠。

10.一种操作存储器器件的方法，包括：

向第一静态随机存取存储器的第一端口施加参考电阻；

向所述第一静态随机存取存储器的第二端口施加第一组磁性隧道结单元中的一个的电阻，根据施加到所述第一端口的所述参考电阻与施加到所述第一静态随机存取存储器的所述第二端口的所述第一组磁性隧道结单元中的所述一个的所述电阻之间的差异，所述第一静态随机存取存储器用于生成所述第一静态随机存取存储器的所述第一端口或所述第二端口处的电压；以及

根据所述电压确定由所述第一组磁性隧道结单元中的所述一个储存的位。