[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，对在第一晶片的正面上层叠第二晶片而构成的两层构造的晶片进行加工，该第一晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，

该晶片的加工方法具有如下的工序：

阶梯差部形成工序，从该第二晶片侧切削至到达该第一晶片的外周剩余区域且与该第一晶片的完工厚度对应的深度，将形成于该第二晶片的外周端的倒角部去除，在该第一晶片的外周剩余区域形成环状的阶梯差部；

第二晶片磨削工序，在实施了该阶梯差部形成工序之后，对该第二晶片的露出面进行磨削，使该第二晶片成为规定的厚度；

环状改质层形成工序，在实施了该第二晶片磨削工序之后，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该第一晶片的外周剩余区域所形成的该阶梯差部的根部的内部而进行照射，形成环状的改质层；

保护带配设工序，在实施了该环状改质层形成工序之后，在该第二晶片的露出面上配设大小与该第一晶片对应的保护带；以及

第一晶片磨削工序，在实施了该保护带配设工序之后，对该第一晶片的露出面进行磨削而对该改质层赋予刺激，使包含该阶梯差部在内的环状的区域沿着该改质层从该第一晶片分离而下落到该保护带上，并且将该第一晶片磨削至完工厚度。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

该晶片的加工方法还具有如下的切削槽形成工序：在该第二晶片磨削工序之后且在该保护带配设工序之前，从该第二晶片侧进行切削而形成切削槽，该切削槽到达该第一晶片的分割预定线且包含深度与第一晶片的完工厚度对应的槽，

在该第一晶片磨削工序中，将该两层构造的晶片分割成各个器件芯片。

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

该晶片的加工方法还具有如下的分割预定线改质层形成工序：在该第二晶片磨削工序之后且在该保护带配设工序之前，从该第二晶片侧照射对于该第一晶片和第二晶片具有透过性的波长的激光光线而形成从该第二晶片到达第一晶片的分割预定线的改质层，

在该第一晶片磨削工序中，将该两层构造的晶片分割成各个器件芯片。