[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，在对两层构造的晶片进行加工时，即使对晶片的背面进行磨削而薄化，也不会在外周形成刀刃，并且能够解决示出晶体取向的凹口消失而给后续工序中的处理带来障碍的问题。该晶片的加工方法对在第一晶片的正面上层叠第二晶片而构成的二层构造的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：阶梯差部形成工序，从第二晶片侧切削至到达第一晶片的外周剩余区域且与第一晶片的完工厚度对应的深度，将形成于第二晶片的外周端的倒角部去除，在第一晶片的外周剩余区域形成环状的阶梯差部；以及第二晶片磨削工序，在实施了该阶梯差部形成工序之后，对第二晶片的露出面进行磨削而使第二晶片形成为规定的厚度。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，对在第一晶片的正面上层叠第二晶片而得的两层构造的晶片进行加工。

背景技术

晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有IC、LSI等多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，该晶片在背面被磨削而形成为规定的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

另外，将形成有器件的正面彼此贴合而得的两层构造的晶片也同样地在各个晶片的背面被磨削而形成为规定的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010-225976号公报

当对上述两层构造的晶片的一方的晶片的背面和另一方的晶片的背面进行磨削而薄化时，形成于晶片的外周端的倒角部如刀刃那样锐利地变薄，有时在磨削中产生缺损。存在裂纹从该缺损到达器件区域而使形成于晶片上的器件损伤的问题，因此考虑在对晶片的背面进行磨削之前，将形成于晶片的外周端的倒角部切断而去除，从而解决上述问题。

但是，在对如上述那样将正面彼此贴合而得的两层构造的晶片进行加工时，若在对晶片的露出面(背面)进行磨削之前将形成于各晶片的外周端的倒角部切断而去除，则作为示出晶片的晶体取向的标记而形成的凹口会消失，从外观上来看，不清楚晶体取向，其结果是，存在给后续工序中的处理带来障碍的问题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，在对两层构造的晶片进行加工时，即使对晶片的背面进行磨削而薄化，也不会在外周形成刀刃，并且能够解决示出晶体取向的凹口消失而给后续工序中的处理带来障碍的问题。

根据本发明，提供晶片的加工方法，对在第一晶片的正面上层叠第二晶片而构成的两层构造的晶片进行加工，该第一晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：阶梯差部形成工序，从该第二晶片侧切削至到达该第一晶片的外周剩余区域且与该第一晶片的完工厚度对应的深度，将形成于该第二晶片的外周端的倒角部去除，在该第一晶片的外周剩余区域形成环状的阶梯差部；第二晶片磨削工序，在实施了该阶梯差部形成工序之后，对该第二晶片的露出面进行磨削，使该第二晶片成为规定的厚度；环状改质层形成工序，在实施了该第二晶片磨削工序之后，将对于该第一晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该第一晶片的外周剩余区域所形成的该阶梯差部的根部的内部而进行照射，形成环状的改质层；保护带配设工序，在实施了该环状改质层形成工序之后，在该第二晶片的露出面上配设大小与该第一晶片对应的保护带；以及第一晶片磨削工序，在实施了该保护带配设工序之后，对该第一晶片的露出面进行磨削而对该改质层赋予刺激，使包含该阶梯差部在内的环状的区域沿着该改质层从该第一晶片分离而下落到该保护带上，并且将该第一晶片磨削至完工厚度。

优选具有如下的切削槽形成工序：在该第二晶片磨削工序之后且在该保护带配设工序之前，从该第二晶片侧进行切削而形成切削槽，该切削槽到达该第一晶片的分割预定线且包含深度与第一晶片的完工厚度对应的槽，在该第一晶片磨削工序中，将该两层构造的晶片分割成各个器件芯片。