[发明专利]一种制备稀土永磁体的方法在审
| 申请号： | 202011319853.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112466645A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄书林;郝志平;罗赣;白兰 | 申请（专利权）人： | 北京麦戈龙科技有限公司;天津沃尔斯科技有限公司;包头麦戈龙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F41/18;H01F41/20;H01F1/055;H01F1/057 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101300 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 稀土 永磁体 方法 | ||
1.一种制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在永磁体表面以物理气相沉积的方式沉积复合膜或合金。
2.根据权利要求1所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，所述物理气相沉积的方式采用磁控溅射或蒸发镀。
3.根据权利要求2所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，所述磁控溅射和蒸发镀均包含多个靶位组合设计。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在沉积复合膜或合金的永磁体进行耐高温氧化铝、氧化锆或氮化硅物质附着处理。
5.根据权利要求1-3任一项所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在沉积复合膜或合金的永磁体表面进行热处理。
6.根据权利要求5所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，所述热处理采用高真空热处理或微氧分压处理。
7.根据权利要求6所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，所述微氧分压处理采用真空分压处理和Ar气氛分压处理，氧含量范围为0-10000ppm。
8.根据权利要求1-3任一项所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，所述永磁体表面的沉积的一层膜为以物理气相沉积的方式将含有稀土元素的金属、低熔点金属合金或化合物沉积到永磁体表面。
9.根据权利要求8所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，所述的稀土元素采用Pr、Nd、Dy、Tb或Ho。
10.根据权利要求1所述的制备稀土永磁体的方法，其特征在于，在进行沉积一层复合膜或合金前对稀土永磁体进行除油、酸洗、清洗、烘干等步骤将稀土永磁体表面处理干净。
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