[发明专利]一种TC-SAW滤波器制造方法

权利要求书

1.一种温度补偿声表面波TC-SAW滤波器制造方法，所示方法包括以下步骤：

基板预处理；

在经预处理的所述基板的正面镀上正面金属膜；

在经预处理的所述基板的背面镀上背面金属膜；

在所述基板的所述正面金属膜上涂光刻胶；

经过曝光、显影去除部分所述光刻胶及所述正面金属膜；

在正面沉积叉指换能器IDT金属层；

剥离所述光刻胶；

在正面沉积第一介质层；

将所述第一介质层减薄；

在经减薄的所述第一介质层上沉积第二介质层；

将所述第二介质层减薄；以及

刻蚀所述背面金属膜。

2.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

所述正面金属膜的材料为铝，采用蒸镀或磁控溅射方法进行沉积，厚度范围为100～200nm。

3.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

所述背面金属膜的材料为钛或镍，采用蒸镀或磁控溅射方法进行沉积，厚度范围为100～200nm。

4.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

所述光刻胶为正性光刻胶，所述光刻胶的厚度范围为1um～2um。

5.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

所述IDT金属层是铝层或顶层为铝的金属膜组合，采用溅镀或蒸镀方式沉积所述IDT金属层，IDT图形电极线宽度范围为300～1400nm，且IDT图形电极的厚度范围为100～500nm。

6.如权利要求5所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

所述顶层为铝的金属膜组合为Al、Al/Cu、或Ti/AL/Cu组合。

7.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

所述第一介质层的材料为SiO₂或SiN_x，所述第一介质层的沉积方式为PECVD、CVD、或PVD；并且

所述第二介质层的材料为SiN，所述第二介质层的沉积方式为PECVD、CVD、或PVD。

8.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

将所述第一介质层减薄是通过化学机械研磨工艺将所述第一介质层研磨至所需厚度来实现的。

9.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

将所述第二介质层减薄是通过trimming来实现的，所述第二介质层的厚度和滤波器频率相关，所述方法进一步包括，在将所述第二介质层减薄之后，进行频率测量。

10.如权利要求1所述的TC-SAW滤波器制造方法，其特征在于：

刻蚀所述背面金属膜是采用湿法蚀刻工艺实现的。