[发明专利]一种TC-SAW滤波器制造方法

说明书

本发明公开了一种TC‑SAW制造方法，包括：基板预处理、正面镀金属膜、背面镀金属膜、涂光刻胶、曝光、显影、沉积IDT、剥离光刻胶、沉积第一介质层、第一介质层减薄、沉积第二介质层、第二介质层减薄、探针测量、刻蚀背面金属膜等步骤。根据本发明的方法可减少工艺流程，提高良率，并可使得IDT电极宽度均匀、形貌更好，器件也可以得到更好的保护。

技术领域

本发明涉及声表面波(SAW)滤波器制造技术领域，尤其涉及温度补偿声表面波(TC-SAW)滤波器制造方法。

背景技术

SAW滤波器被广泛应用于信号接收机前端以及双工器和接收滤波器。SAW滤波器集低插入损耗和良好的抑制性能于一身，可实现较宽的带宽和较小的体积。

现有技术的SAW滤波器中，电输入信号通过间插的金属叉指换能器(IDT)转换为声波，这种IDT是在压电基板上形成的。现有的SAW滤波器的叉指换能器结构制作时，一般采用剥离工艺(LIFT-OFF)，即在衬底上采用负性光刻胶通过曝光、显影制成图形，然后在其上淀积金属膜，再用不侵蚀金属膜的溶剂除去光刻胶，随着光刻胶的去除，胶上的金属被剥离，从而留下预设图形的金属结构。

CN108923763A公开了一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法，包括：提供压电材料衬底；在衬底上沉积介质材料形成第一介质层；涂覆正性光刻胶，经曝光、显影后定义出IDT图形，采用干法蚀刻工艺刻蚀所述第一介质层以形成与IDT图形相应的膜层形貌，去除正性光刻胶；沉积金属形成IDT金属层，该IDT金属层至少顶层为Cu；采用CMP工艺进行研磨使得IDT金属层与第一介质层平齐，形成与IDT图形相应的IDT金属结构；涂覆正性光刻胶，经曝光、显影后定义出第一介质层的剥离区域，剥离该剥离区域之内的介质材料，去除正性光刻胶；在所形成的结构表面沉积介质材料形成第二介质层；以及，对预设区域的第二介质层开连接孔等步骤。

CN108768334A公开了一种TC-SAW之IDT铜工艺制造方法，包括：在压电衬底上形成第一介质层；通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻在第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，并沉积第二介质层。

图3示例性地示出了现有技术的高频SAW之IDT铜工艺制造方法的具体工艺流程。

在步骤A，提供压电材料衬底11。

在步骤B，在衬底11上沉积介质材料形成第一介质层22。

在步骤C，涂覆正性光刻胶，经曝光、显影后定义出IDT图形，采用干法蚀刻工艺刻蚀所述第一介质层22以形成与IDT图形相应的膜层形貌，去除正性光刻胶。

在步骤D，进行IDT金属层33的沉积。

在步骤E，采用CMP(化学机械研磨)工艺研磨IDT金属层33，至第一介质层22停止，使得IDT金属层与第一介质层22平齐，形成与IDT图形相应的彼此分立的IDT金属结构33a，从而IDT金属结构33a厚度与第一介质层22相同。其中CMP的主要工艺原理是化学物质与晶圆表面的物质反应，形成新的化合物，再由桨料中的微粒子机械式的研磨，加以去除。

在步骤F，涂覆正性光刻胶，在IDT图形基础上曝光、显影后定义出第一介质层22的剥离区域，介质层剥离区域定义至所述IDT金属结构33a侧壁之外一定距离，采用干法或湿法工艺剥离所述剥离区域之内的介质材料，从而在金属结构33a侧壁留下保留层22a，然后去除正性光刻胶。图中步骤F未示出正性光刻胶。

在步骤G，进行上述介质材料的二次沉积，形成第二介质层44，第二介质层44覆盖IDT金属结构33a的表面以用于调整频率。

在步骤H，对预设区域(例如部分IDT金属结构顶部)的第二介质层44开连接孔55，从而形成最终图形。