[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个下电极，在衬底上；

第一电极支撑件，在所述多个下电极中的相邻下电极之间，所述第一电极支撑件包括导电材料；

介电层，在所述多个下电极和所述第一电极支撑件上并且沿所述第一电极支撑件和所述多个下电极中的每个下电极的轮廓延伸；以及

上电极，在所述介电层上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

绝缘间隔件，在所述第一电极支撑件与所述多个下电极中的每个下电极之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述绝缘间隔件包括介电常数大于氧化硅的绝缘材料。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述第一电极支撑件包括彼此面对的第一表面和第二表面，

所述第一电极支撑件的所述第一表面面对所述衬底，并且

从所述第一电极支撑件的所述第二表面到所述绝缘间隔件的底部的距离大于所述第一电极支撑件的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

接地插塞，连接到所述上电极，

其中，所述第一电极支撑件电连接到所述接地插塞。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二电极支撑件，在所述衬底与所述第一电极支撑件之间，所述第二电极支撑件包括绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极和所述第一电极支撑件彼此不接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下电极中的每个下电极具有远离所述衬底的上表面延伸的柱形。

9.一种半导体器件，包括：

多个下电极，在衬底上；

电极支撑件，在所述多个下电极中的相邻下电极之间包括导电材料，所述电极支撑件在其上表面上包括支撑暴露区域；

介电层，在所述电极支撑件和所述下电极上，但不在所述电极支撑件的所述支撑暴露区域上；

上电极，在所述介电层上；

上板电极，在所述上电极上并且电连接到所述电极支撑件；以及

接地插塞，连接到所述上板电极。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，

所述电极支撑件包括电极支撑部和围绕所述电极支撑部的边缘部，

所述下电极在所述电极支撑部中，并且

所述电极支撑件的所述边缘部包括所述支撑暴露区域。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

所述电极支撑件的所述上表面包括沿第一方向延伸的第一边界线和沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二边界线，并且

所述支撑暴露区域沿所述电极支撑件的所述上表面的所述第一边界线延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述支撑暴露区域沿所述电极支撑件的所述上表面的所述第二边界线延伸。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述上板电极覆盖所述支撑暴露区域。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

支撑连接图案，连接到所述支撑暴露区域和所述上板电极。

15.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述接地插塞通过所述支撑暴露区域电连接到所述电极支撑件。

16.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：

绝缘间隔件，在所述电极支撑件与所述下电极中的每个下电极之间。