[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件可以包括：在衬底上的多个下电极；在相邻下电极之间并且包括金属材料的第一电极支撑件；在下电极和第一电极支撑件上以沿第一电极支撑件和每个下电极的轮廓延伸的介电层；以及在介电层上的上电极。

该申请要求享有于2019年11月25日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0151871号韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过全文引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种包括沿一个方向延伸的导电电极和支撑该导电电极的支撑结构的半导体器件。

背景技术

随着半导体器件的集成度的提高，更大的电容和更高的集成密度是有益的，从而导致设计规则不断减少。这种趋势在动态随机存取存储器(DRAM)中很明显，DRAM是在集成度较高的器件中占用空间较小的一种半导体存储器件。然而，为了使DRAM器件工作，每个单元中都需要大于一定水平的电容，这可能会受到较小的占用空间的阻碍，因为电容是电容器的电极的表面积的函数。

为此，正在研究在电容器中利用具有高介电常数的介电层和/或增加电容器的下电极与介电层之间的接触面积，例如提供了一种电容器，其中当下电极的高度增加时，电容器与介电层之间的接触面积增加，从而增加电容器的电容。

为了防止由于下电极的高度增加而引起的下电极倾斜或塌陷，已经提出了使用能够支撑下电极的支撑结构。

发明内容

与本发明构思的各种示例实施例有关的方面提供了一种半导体器件，其中支撑下电极的电极支撑件连接到地电压以改善器件的性能和可靠性。

与本发明构思的各种示例实施例有关的方面还提供了一种制造半导体器件的方法，其中支撑下电极的电极支撑件连接到地电压以改善器件的性能和可靠性。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件包括：多个下电极，在衬底上；第一电极支撑件，在相邻下电极之间并且包括导电材料；介电层，在多个下电极和第一电极支撑件上沿多个第一电极支撑件和每个下电极的轮廓延伸；以及上电极，在介电层上。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件包括：多个下电极，在衬底上；电极支撑件，在多个下电极中的相邻下电极之间包括导电材料，该电极支撑件在其上表面上包括支撑暴露区域；介电层，在电极支撑件和下电极上但不在电极支撑件的支撑暴露区域上；上电极，在介电层上；上板电极，在上电极上并且电连接到电极支撑件；以及接地插塞，连接到上板电极。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件包括：电极支撑件，在衬底上并且限定多个下电极孔；绝缘间隔件，在每个下电极孔的侧壁上；多个下电极，在下电极孔中并且通过绝缘间隔件与电极支撑件间隔开；介电层，在下电极和电极支撑件上；以及上电极，在介电层上并且电连接到电极支撑件。然而，本发明构思的示例实施例的各方面不限于本文阐述的方面。通过参考下面给出的本发明构思的示例实施例的详细描述，对于示例实施例所属领域的普通技术人员而言，示例实施例的以上和其他方面将变得更加显而易见。

附图说明

通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解，在附图中：

图1和图2是根据本发明构思的至少一个示例实施例的半导体器件的平面视图；

图3和图4是沿图2的A-A和B-B截取的截面图；

图5是图4的部分P的放大视图；

图6和图7分别示出了根据本发明构思的至少一个示例实施例的半导体器件；

图8示出了根据本发明构思的至少一个示例实施例的半导体器件；

图9至图11分别示出了根据本发明构思的至少一个示例实施例的半导体器件；