[发明专利]一种非金属材料的提纯方法

权利要求书

1.一种非金属材料的提纯方法，所述非金属材料为易挥发性材料，其特征在于，包括以下步骤：将气化的非金属材料在高压环境下注入到金属熔体中；降低环境压力，收集从金属熔体中溢出气泡中的非金属材料，从而得到提纯后的非金属材料，具体步骤为：

步骤A、将金属置于密闭容器中，抽真空至10^-5Pa；

步骤B、密闭容器中充入惰性气体，使密闭容器内的压力高于设计压力；

步骤C、加热金属至设计温度，金属熔化后形成金属熔体；

步骤D、加热非金属材料至气化；

步骤E、将气化的非金属材料注入到金属熔体内；

步骤F、停止对金属的加热；

步骤G、在保持密闭容器温度的同时，降低密闭容器的压力，同时收集挥发出的气泡；

步骤H、收集挥发出的气泡，直至气泡消失；

所述设计温度为T+m，T为该金属与被提纯非金属材料形成的二元化合物的熔点，m的取值范围为10~200K；

所述设计压力为设计温度下，所述金属与非金属形成I%熔体体系的饱和蒸气压；

步骤G中，密闭容器的压力降至所述金属与非金属形成Q%熔体体系的饱和蒸气压；

QI；

所述非金属材料为制作半导体晶体的易挥发性材料，所述金属为III族低熔点金属；所述非金属材料与所述金属合成后的物质为半导体材料。

2.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于：提纯前非金属材料的纯度大于95%。

3.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于：所述金属的纯度高于99.9%。

4.根据权利要求1所述的提纯方法，其特征在于：所述提纯方法还包括以下步骤：

步骤I、将提纯的非金属材料经过酸洗，去除其中含有的熔体中的金属元素。