[发明专利]驱动装置在审
| 申请号： | 202011327074.8 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113141170A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 丸山宏志 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 包跃华;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 驱动 装置 | ||
1.一种驱动装置，其特征在于，具备：
芯片外周接地布线，其连接于作为半导体芯片中的GND端子的第1衬垫；以及
过电流检测电路，其具有作为接收过电流检测信号的输入端子的第2衬垫、生成阈值电压的阈值电压生成电路、将所述过电流检测信号与所述阈值电压进行比较的比较器、以及连接于所述输入端子与所述芯片外周接地布线上的第1位置之间的第1输入保护元件，
所述过电流检测电路具备电位偏移元件，所述电位偏移元件连接于所述比较器的接收所述阈值电压的端子与所述芯片外周接地布线的所述第1位置之间，并根据所述第1位置的电位对施加于所述比较器的所述阈值电压进行偏移。
2.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，
所述第1输入保护元件以及所述电位偏移元件是将栅极以及源极连接于所述芯片外周接地布线的所述第1位置的N沟道的MOSFET。
3.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，
所述第1输入保护元件以及所述电位偏移元件是将阳极连接于所述芯片外周接地布线上的所述第1位置的二极管或者齐纳二极管。
4.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，
所述过电流检测电路在所述比较器的接收所述过电流检测信号的端子与电源之间具备第2输入保护元件。
5.根据权利要求4所述的驱动装置，其特征在于，
所述第2输入保护元件是将栅极以及源极连接于所述电源的P沟道的MOSFET。
6.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，
所述驱动装置具备第3输入保护元件，所述第3输入保护元件连接于第3衬垫与所述芯片外周接地布线的第2位置之间，所述第3衬垫配置在相对于所述第1衬垫而言比所述第2衬垫更远的位置，所述芯片外周接地布线的所述第2位置为从所述第1衬垫观察时比所述第1位置更远的位置。
7.根据权利要求6所述的驱动装置，其特征在于，
所述第3输入保护元件是将阳极连接于所述芯片外周接地布线的所述第2位置的齐纳二极管。
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