[发明专利]驱动装置

说明书

本发明提供一种驱动装置，防止因过电流检测输入端子的电压由于在芯片外周接地布线流通有大电流而上升从而产生的过电流检测电路的误工作。在配置于远离GND端子的位置的过电流检测电路的IS端子与芯片外周接地布线(11)的B点之间设置有作为端子保护电路的晶体管MN1，在配置于更远离GND端子的位置的CFO端子与芯片外周接地布线(11)的C点之间设置有作为端子保护电路的齐纳二极管ZD1。此外，在比较器COMP_IS的接受阈值电压的输入与芯片外周接地布线(11)的B点之间设置有作为电位偏移元件的晶体管MN2。由此，在B点的电位因CFO端子被施加过电压而上升时，通过使比较器COMP_IS的两个输入端同样地上升，从而防止误工作。

技术领域

本发明涉及驱动装置，特别地涉及具备针对过电压噪声的端子保护电路以及过电流检测电路的驱动装置。

背景技术

例如，使用于空调的压缩机的三相马达被马达驱动装置驱动控制。就马达驱动装置而言，使用将控制向三相马达提供的电力的功率开关、对这些功率开关进行导通关断驱动的驱动电路、以及各种保护电路组装在1个封装中的驱动装置。

图4是示出一般的马达驱动装置的构成例的图。应予说明，在以下的说明中，端子名和该端子的电压、信号等存在使用相同的符号的情况。

如图4所示，三相马达M通过由IPM(Intelligent Power Module，智能电源模块)100构成的马达驱动装置来驱动，该IPM100的控制通过微型电脑内置的MCU(MicroController Unit，微型控制单元)200来进行。

IPM100具有功率开关Q1～Q6。在该构成例中，功率开关Q1～Q6设为IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，并在各IGBT反向并联地连接有FWD(Free Wheeling Diode，续流二极管)。

功率开关Q1、Q2串联地连接，且两端与IPM100的正极电源端子即P端子和负极电源端子即N(U)端子连接，功率开关Q1与功率开关Q2之间的连接点经由IPM100的U端子而连接于三相马达M的U相端子。功率开关Q3、Q4串联地连接，且两端与IPM100的P端子和负极电源端子即N(V)端子连接，功率开关Q3与功率开关Q4之间的连接点经由IPM100的V端子而连接于三相马达M的V相端子。功率开关Q5、Q6串联地连接，且两端与IPM100的P端子和负极电源端子即N(W)端子连接，功率开关Q5与功率开关Q6之间的连接点经由IPM100的W端子而连接于三相马达M的W相端子。

高侧的功率开关Q1、Q3、Q5的栅极连接于高电压侧控制电路HV-IC(U)、HV-IC(V)、HV-IC(W)的输出端子。高电压侧控制电路HV-IC(U)、HV-IC(V)、HV-IC(W)的输入端子经由IPM100的IN(HU)、IN(HV)、IN(HW)而连接于MCU200的HU端子、HV端子以及HW端子。

低侧的功率开关Q2、Q4、Q6的栅极连接于低电压侧控制电路LV-IC的UOUT端子、VOUT端子以及WOUT端子。低电压侧控制电路LV-IC具有VCC端子、GND端子、TEMP端子、IS端子、CFO端子、VFO端子、UIN端子、VIN端子以及WIN端子。