[发明专利]一种开关元件的制备方法、阵列基板的制备方法和显示面板

权利要求书

1.一种开关元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成具有第一宽度的多晶硅层；

在多晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极金属层和蚀刻阻挡层，所述栅极金属层具有一第二宽度，所述蚀刻阻挡层具有一第三宽度；

对多晶硅层进行第一次离子注入形成过渡掺杂区，具体地，所述过渡掺杂区为第一次离子注入于所述多晶硅层上所述蚀刻阻挡层之外的区域；

对所述蚀刻阻挡层进行灰化处理，将具有第三宽度的所述蚀刻阻挡层变成具有第四宽度的蚀刻阻挡层；

进行第二次离子注入，在所述多晶硅层处对应过渡掺杂区形成重掺杂区，对应被具有第四宽度的所述蚀刻阻挡层覆盖的位置则形成未掺杂区；对应所述重掺杂区与所述未掺杂区之间的区域形成轻掺杂区；

移除蚀刻阻挡层，在栅极金属层上方依次形成绝缘层、源漏极金属层；

其中，所述第一宽度、所述第二宽度、所述第三宽度和所述第四宽度互不相等，且均小于所述衬底的宽度，所述第一宽度大于所述第三宽度，所述第三宽度大于所述第四宽度，所述第四宽度大于等于所述第二宽度；

所述蚀刻阻挡层设置在所述栅极金属层上，在所述蚀刻阻挡层的宽度为第三宽度时，采用离子注入进行第一次掺杂，所述重掺杂区注入离子，所述轻掺杂区被蚀刻阻挡层进行阻挡，离子未注入；当所述蚀刻阻挡层的宽度由第三宽度变为第四宽度后，采用离子注入进行第二次掺杂，所述重掺杂区第二次注入离子，所述轻掺杂区第一次注入离子，所述重掺杂区进行了两次离子注入，所述轻掺杂区进行了一次离子注入，形成不同浓度的掺杂区的过程中，所述蚀刻阻挡层仅需要一次宽度改变。

2.如权利要求1所述的一种开关元件的制备方法，其特征在于，所述第四宽度为所述第二宽度的1.2倍以上。

3.如权利要求1所述的一种开关元件的制备方法，其特征在于，所述第四宽度大于3.5微米，且小于等于4.2微米。

4.如权利要求1所述的一种开关元件的制备方法，其特征在于，所述重掺杂区的浓度为10¹⁴每立方厘米及其以上，所述轻掺杂区浓度为10¹¹～10¹³每立方厘米。

5.如权利要求1所述的一种开关元件的制备方法，其特征在于，所述灰化处理时选用的气体为氧气；其中，所述氧气的流量为6000～12000标准毫升/分钟之间，灰化处理的时间控制在15～30秒。

6.如权利要求1所述的一种开关元件的制备方法，其特征在于，所述灰化处理时选用的气体为氧气和六氟化硫的混合气体，其中，所述氧气的流量为6000～12000标准毫升/分钟之间，所述六氟化硫流量为0～400标准毫升/分钟之间，灰化处理的时间控制在15～30秒。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

使用如权利要求1-6任意一项所述的开关元件的制备方法制得开关元件；

在所述开关元件的源漏极金属层上铺设钝化层材料以形成钝化层；以及

在所述钝化层上形成像素电极层，所述像素电极层连接到源极和漏极。

8.一种显示面板，其特征在于，包括：

采用如权利要求7所述的一种阵列基板的制备方法制得的阵列基板；以及

对置基板，与所述阵列基板对盒设置。

9.如权利要求8所述的一种显示面板，其特征在于，所述阵列基板上设置有遮光层，所述遮光层对应设置在所述栅极金属层未覆盖到的沟道区的位置。