[发明专利]一种开关元件的制备方法、阵列基板的制备方法和显示面板

说明书

本申请公开了一种开关元件的制备方法、阵列基板的制备方法和显示面板，所述开关元件的制备方法包括步骤：在衬底上形成具有第一宽度的多晶硅层；在多晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极金属层和蚀刻阻挡层，所述栅极金属层具有一第二宽度，所述蚀刻阻挡层具有一第三宽度；对多晶硅层进行第一次离子注入形成过渡掺杂区；对蚀刻阻挡层进行灰化处理，得到具有第四宽度的蚀刻阻挡层；进行第二次离子注入，形成重掺杂区、未掺杂区和轻掺杂区；所述第四宽度大于等于所述第二宽度；通过增加蚀刻阻挡层，改变蚀刻阻挡层的宽度完成梯度离子注入，可以减少光罩，且栅极层宽度大于等于多晶硅层宽度，可以改善短沟道效应。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种开关元件的制备方法、阵列基板的制备方法和显示面板。

背景技术

现有技术多采用低温多晶硅薄膜晶体管进行有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)驱动，低温多晶硅薄膜晶体管，涉及一阵列基板，在其表面沉积缓冲层，非晶硅沉积于缓冲层上，通过准分子激光退火生成多晶硅，栅极绝缘层设于图案化的多晶硅层表面，栅极再设于栅极绝缘层表面。

多晶硅半导体层的沟道两侧设有重掺杂区和轻掺杂区，制备工艺较为复杂，且良率较低。

发明内容

本申请的目的是提供一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示面板，减少光罩和制作成本，改善短沟道效应。

本申请公开了一种开关元件的制备方法，包括以下步骤：

在衬底上形成具有第一宽度的多晶硅层；

在多晶硅层上依次形成栅极绝缘层、栅极金属层和蚀刻阻挡层，所述栅极金属层具有一第二宽度，所述蚀刻阻挡层具有一第三宽度；

对多晶硅层进行第一次离子注入形成过渡掺杂区，具体地，所述过渡掺杂区为第一次离子注入于所述多晶硅层上所述蚀刻阻挡层之外的区域；

对所述蚀刻阻挡层进行灰化处理，得到具有第四宽度的蚀刻阻挡层；

进行第二次离子注入，在所述多晶硅层处对应过渡掺杂区形成重掺杂区，对应被具有第四宽度的所述蚀刻阻挡层覆盖的位置则形成未掺杂区；对应所述重掺杂区与所述未掺杂区之间的区域形成轻掺杂区；

移除蚀刻阻挡层，在栅极金属层上方依次形成绝缘层、源漏极金属层；

其中，所述第一宽度大于所述第三宽度，所述第三宽度大于所述第四宽度，所述第四宽度大于等于所述第二宽度。

可选的，所述第四宽度为所述第二宽度的1.2倍以上。

可选的，所述第四宽度大于3.5微米，且小于等于4.2微米。

可选的，对所述蚀刻阻挡层进行灰化处理，得到具有第四宽度的蚀刻阻挡层的步骤包括：

将具有第三宽度的所述蚀刻阻挡层变成具有第四宽度的蚀刻阻挡层。

可选的，所述重掺杂区的浓度为10¹⁴每立方厘米及其以上，所述轻掺杂区浓度为10¹¹～10¹³每立方厘米。

可选的，所述灰化处理时选用的气体为氧气；其中，所述氧气的流量为6000～12000标准毫升/分钟之间，灰化处理的时间控制在15-30秒。

可选的，所述灰化处理时选用的气体为氧气和六氟化硫的混合气体，其中，所述氧气的流量为6000～12000标准毫升/分钟之间，所述六氟化硫流量为0～400标准毫升/分钟之间，灰化处理的时间控制在15～30秒。

本申请还公开了一种阵列基板的制备方法，包括步骤：