[发明专利]一种硅化镍热处理工艺的检测方法在审
| 申请号： | 202011327546.X | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112462145A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王韡祺;谢威 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅化镍 热处理 工艺 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅化镍热处理工艺的检测方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供硅衬底，在所述硅衬底上生长氧化层；
步骤二、在所述氧化层上沉积多晶硅层；
步骤三、在所述多晶硅层上沉积NiPt层；
步骤四、对所述NiPt层行退火处理，所述NiPt层的一部分与所述多晶硅层反应生成硅化镍层；
步骤五、去除剩余未反应的所述NiPt层；
步骤六、检测所述硅化镍层的电阻值。
2.根据权利要求1所述的硅化镍热处理工艺的检测方法，其特征在于：步骤一中在所述硅衬底上生长的氧化层为氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的硅化镍热处理工艺的检测方法，其特征在于：步骤四中所述NiPt层中与所述多晶硅上表面直接接触的一部分被消耗生成所述硅化镍层。
4.根据权利要求1所述的硅化镍热处理工艺的检测方法，其特征在于：步骤五中剩余未反应的所述NiPt层位于所述硅化镍层的上表面。
5.根据权利要求1所述的硅化镍热处理工艺的检测方法，其特征在于：步骤六中利用四点探针法检测所述硅化镍层的电阻值。
6.根据权利要求1所述的硅化镍热处理工艺的检测方法，其特征在于：该方法还包括步骤七、根据所述硅化镍层的电阻值得到所述硅化镍的均一性。
7.根据权利要求9所述的硅化镍热处理工艺的检测方法，其特征在于：步骤七中所述硅化镍的均一性为0.78％。
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