[发明专利]一种硅化镍热处理工艺的检测方法

说明书

本发明提供一种硅化镍热处理工艺的检测方法，提供硅衬底，在硅衬底上生长氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上沉积NiPt层；对NiPt层行退火处理，NiPt层的一部分与多晶硅层反应生成硅化镍层；去除剩余未反应的NiPt层；检测硅化镍层的电阻值。本发明通过在沉积NiPt前先生长氧化层,并沉积多晶硅，再进行NiPt沉积的方法，消除底层硅衬底的影响。在方块电阻量测前，增加去除NiPt的步骤，消除前层NiPt对量测结果的影响。从而使得量测结果及均一性更加精确，有利于提升硅化镍工艺的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种硅化镍热处理工艺的检测方法。

背景技术

对于硅化镍热退火工艺，其镍与硅的相变状态将会影响器件的电学性能。现有监控方法是在检测片上先沉积NiPt(铂化镍)，接着进行热退火工艺，然后直接用四点探针法来检测硅化镍的电阻值，作为硅化镍热退火工艺监测的手段。由于这种检测方式会受到前层NiPt(铂化镍)及硅衬底的影响，导致对热退火工艺的温区调整产生影响，进而影响热退火工艺的质量，最终会影响器件的电学性能。

因此，需要提出一种方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硅化镍热处理工艺的检测方法，用于解决现有技术中的硅化镍热退火工艺中受前层NiPt及硅衬底的影响，从而影响硅化镍退火工艺监测的准确性的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硅化镍热处理工艺的检测方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供硅衬底，在所述硅衬底上生长氧化层；

步骤二、在所述氧化层上沉积多晶硅层；

步骤三、在所述多晶硅层上沉积NiPt层；

步骤四、对所述NiPt层行退火处理，所述NiPt层的一部分与所述多晶硅层反应生成硅化镍层；

步骤五、去除剩余未反应的所述NiPt层；

步骤六、检测所述硅化镍层的电阻值。

优选地，步骤一中在所述硅衬底上生长的氧化层为氧化硅层。

优选地，步骤四中所述NiPt层中与所述多晶硅上表面直接接触的一部分被消耗生成所述硅化镍层。

优选地，步骤五中剩余未反应的所述NiPt层位于所述硅化镍层的上表面。

优选地，步骤六中利用四点探针法检测所述硅化镍层的电阻值。

优选地，该方法还包括步骤七、根据所述硅化镍层的电阻值得到所述硅化镍的均一性。

优选地，所述硅化镍的均一性为0.78％。

如上所述，本发明的硅化镍热处理工艺的检测方法，具有以下有益效果：本发明通过在沉积NiPt前先生长氧化层,并沉积多晶硅，再进行NiPt沉积的方法，消除底层硅衬底的影响。在方块电阻量测前，增加去除NiPt的步骤，消除前层NiPt对量测结果的影响。从而使得量测结果及均一性更加精确，有利于提升硅化镍工艺的质量。

附图说明

图1显示为现有技术中硅化镍的均一性的电子图；

图2显示为本发明的硅化镍的均一性的电子图；

图3显示为传统硅化镍热处理工艺的检测方法和本发明的硅化镍热处理工艺的检测方法的电阻值均一性的曲线对比图；

图4显示为本发明的硅化镍热处理工艺的检测方法流程图；

图5显示为本发明中的硅衬底上形成有氧化硅、多晶硅以及NiPt层的结构示意图；