[发明专利]一种基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法

权利要求书

1.一种基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法，其特征在于，包括：

制备金属箔，以及制备拉伸模量在0.5～6.0GPa范围内、弯曲模量在1.0～11.0GPa范围内的液晶高分子材料的预制膜；其中，所述预制膜熔点为T_m；

通过模量调整工序将所述预制膜的拉伸模量由0.5～6.0GPa的范围，调整至1.8～3.5GPa的范围；并且，通过模量调整工序将所述预制膜的弯曲模量由1.0～11.0GPa的范围，调整至2.0～8.0GPa的范围，得到成品膜，所述成品膜的薄膜面内不同方向的模量差值小于10％；其中，所述模量调整工序为，对所述预制膜在温度T条件下进行热处理并对其降温，控制所述热处理的时间t，和所述降温的速率v_t；所述预制膜采用多层共挤吹膜法、或层压体拉伸法制备获得；

将所述金属箔和所述成品膜进行热压成型，得到成型的覆金属板；

按照电路设计图在所述覆金属板的金属导电层上刻蚀出电路，并对所述电路进行转孔、电镀得到柔性电路板；

其中：相对于所述T_m，所述T的范围为：T_m-70℃～T_m+40℃；

相对于所述T_m，所述T的范围为：T_m-70℃～T_m-5℃；所述t的范围为：1～60小时；所述v_t小于10℃/min；

相对于所述T_m，所述T的范围为：T_m-5℃～T_m+40℃；所述t的范围为：0.2～30小时，所述v_t小于3℃/min。

2.根据权利要求1所述的基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法，其特征在于，包括：

所述T_m的熔点范围为：200～400℃。

3.根据权利要求1所述的基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法，其特征在于，所述热压成型，包括：

将所述金属箔和所述成品膜直接进行热压成型；或者，

在所述金属箔和所述成品膜之间添加胶粘层进行热压成型。

4.根据权利要求1所述的基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法，其特征在于，所述热压成型，包括：

相对于所述成品膜的熔点T_m’，热压温度范围为：T_m’-10℃～T_m’+15℃。

5.根据权利要求1所述的基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法，其特征在于，包括：

在所述热压成型前，对所述金属箔和所述成品膜进行清洁、干燥处理；在所述热压成型之后进行排气。

6.根据权利要求1所述的基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法，其特征在于，包括：

所述金属箔的表面粗糙度小于3.0μm。

7.根据权利要求1所述的基于液晶高分子薄膜制备柔性电路板的方法，其特征在于，包括：

单层所述成品膜的厚度范围：8～400μm；

单层所述金属箔的厚度范围：3～60μm。