[发明专利]一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法

权利要求书

1.一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、贴膜：在基板的下表面贴附干膜；

S2、单面棕色氧化：对基板的上表面进行棕色氧化处理，形成棕化面；

S3、电镀：在棕化面上贴附干膜，再去除待电镀区域的干膜，并进行电镀，在棕化面和基板下表面形成电镀层，并去除剩余的干膜；

S4、蚀刻：再次贴膜，去除待蚀刻区域的干膜，进行蚀刻处理，露出侧壁和半蚀刻区域；

S5、超粗化处理：进行超粗化处理，在基板的侧壁和半蚀刻区域形成粗糙表面；

S6、退膜：去除剩余的干膜，得到具有粗糙侧壁的引线框架。

2.根据权利要求1所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，所述基板为铜或铜合金基板。

3.根据权利要求1所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，超粗化处理包括：化学清洗、水洗、粗化、水洗、酸洗、水洗、烘干。

4.根据权利要求3所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，粗化所用的粗化液为甲酸、甲酸钠和氯化铜的混合水溶液。

5.根据权利要求4所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，粗化液中Cu²⁺含量为15~35g/L，甲酸浓度为7.5~12.5wt%，甲酸钠浓度为5.0~10.0wt%，氯化铜浓度为3.5~5.5wt%。

6.根据权利要求3所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，粗化的微蚀深度为0.5~1.5μm。

7.根据权利要求1所述的具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，其特征在于，步骤S3所述的电镀层为镍钯金电镀层。

8.一种如权利要求1-7任一所述的制备方法制得的具有粗糙侧壁的引线框架。

9.根据权利要求8所述的具有粗糙侧壁的引线框架，其特征在于，引线框架上表面的粗糙度为0.06~0.11μm，引线框架侧壁的粗糙度为0.2~0.3μm。

10.一种集成电路封装体，包括如权利要求8所述的引线框架、芯片、芯片键合部、键合线和塑封部。