[发明专利]一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法

说明书

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。本发明先对引线框架上表面进行单面棕色氧化，再在电镀和蚀刻后对半蚀刻区域和侧壁进行超粗化处理，通过超粗化工艺条件的控制，使侧壁和半蚀刻区域形成粗糙度良好的粗糙表面，增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，而引线框架下表面未经过粗糙化处理，仅在裸露的焊盘区域形成表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺，节省粗化和电镀成本。本发明的引线框架侧壁具有良好的粗糙度，改善了集成电路封装体的气密性和可靠性，减少分层、开裂等缺陷。

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。

背景技术

引线框架是制造集成电路半导体元件的基本部件，为集成电路的芯片提供载体，借助于键合材料实现芯片与外部线路板电信号的连接，还可与封装外壳一同提供散热通道释放热量。目前的集成电路大多采用塑料封装体的形式，主要包括塑料双列直插封装（PDIP）、四边扁平封装（QFP）、方形扁平无引脚封装（QFN/DFN）、小外形封装（SOP）等。集成电路的封装体的可靠性是检验其产品质量的主要指标，通常由其封装性能决定。随着集成电路的应用日益广泛，对功能化、小型化等的需求也不断增加，逐渐地，集成电路封装体的可靠性要求也趋向于达到MSL1级别，而作为集成电路封装体中的关键部件，引线框架也需要在性能上有进一步改善。提高封装体可靠性的主要方法是增加引线框架表面的粗糙度，从而增加引线框架和封装材料之间的结合力，避免分层现象的产生。

增加引线框架表面粗糙度的方法主要有基材粗化和镀层粗化。日本发明专利JP6570997B2公开的LED用引线框即通过对表面镀层进行粗化以增加引线框表面粗糙度，提高引线框与密封树脂的密接性。但对镀层粗化的工艺难度较大，且无法稳定控制。对于采用铜或铜合金制成的引线框架主体，实现基材粗化的工艺主要可分为微蚀刻、棕色氧化和电镀粗化。其中，微蚀刻的表面处理方法较为普遍，但目前的粗化工艺均是针对引线框架基材整体进行微蚀刻，如公开号为CN109989083A的发明专利中提出的超粗化引线框架电镀预处理工艺，直接使用有机酸粗化液对引线框架进行喷淋处理，这样得到的引线框架正面和背面均形成了粗糙铜层，而后续在封装注塑过程中，难免会发生塑封料溢料的情况，塑封料与引线框架背面的棕色氧化层紧密结合后，通过普通的清洗工艺难以去除干净，需要额外进行高压水冲洗或者打磨工序，既使工序复杂化，延长了生产周期，又影响集成电路封装体的完整性，降低产品合格率。

发明内容

本发明针对现有技术所存在的缺陷，提供一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法，该方法简单、可控、成本低，可有效改善引线框架与塑封材料的结合强度。

本发明的上述目的通过以下技术方案得以实施：

一种具有粗糙表面的引线框架的制备方法，包括如下步骤：

S1、贴膜：在基板的下表面贴附干膜；

S2、单面棕色氧化：对基板的上表面进行棕色氧化处理，形成棕化面；

S3、电镀：在棕化面上贴附干膜，再去除待电镀区域的干膜，并进行电镀，在棕化面和基板下表面形成电镀层，并去除剩余的干膜；

S4、蚀刻：再次贴膜，去除待蚀刻区域的干膜，进行蚀刻处理，露出基板的侧壁和半蚀刻区域；

S5、超粗化处理：进行超粗化处理，在基板的侧壁和半蚀刻区域形成粗糙表面；

S6、退膜：去除剩余的干膜，得到具有粗糙侧壁的引线框架。