[发明专利]等离子体处理装置和电极消耗量测定方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具有相向的第一电极和第二电极，所述等离子体处理装置的特征在于，具备：

功率施加部，其对所述第一电极和所述第二电极中的任一电极以不使等离子体点火的方式施加射频功率；

测定部，其测定与从所述功率施加部施加的所述射频功率有关的物理量；以及

计算部，其将测定出的与所述射频功率有关的物理量用于所述第一电极与所述第二电极之间的电极间距离同与所述射频功率有关的物理量的相关函数中，来求出所述电极间距离。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还具备通知部，在所述距离为阈值以上的情况下，所述通知部通知警报。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述计算部变更将具有规定厚度的基准电极用作了所述第一电极的情况下的所述基准电极与所述第二电极之间的所述电极间距离并测量作为基准的与射频功率有关的物理量，求出表示多个所述电极间距离同所述作为基准的与射频功率有关的物理量的关系的相关函数。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

测定变更所述第一电极与所述第二电极之间的距离并将所述第一电极配置于多个所述电极间距离下的配置过所述基准电极的位置的情况下的、与所述射频功率有关的物理量，基于所述相关函数来获取同测定出的各与所述射频功率有关的物理量对应的对应距离，求出各所述对应距离与多个所述电极间距离的差的平均来求出所述第一电极与所述第二电极之间的距离。

5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

将具有规定厚度的基准电极用作所述第一电极，测量被配置于规定位置的所述基准电极同所述第二电极之间的与第一射频功率有关的物理量，将厚度比所述规定厚度薄的消耗电极用作所述第一电极，测量被配置于所述规定位置的所述消耗电极同所述第二电极之间的与第二射频功率有关的物理量，求出表示与所述第一射频功率有关的物理量同与所述第二射频功率有关的物理量的关系的相关函数。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

与所述射频功率有关的物理量为射频电压、射频电流、射频功率与射频电流的相位差、以及阻抗中的至少一方。

7.一种电极消耗量测定方法，其特征在于，

在具有相向的第一电极和第二电极的等离子体装置中，

对所述第一电极和所述第二电极中的任一电极以不使等离子体点火的方式施加射频功率，

测定与施加的所述射频功率有关的物理量，

将测定出的与所述射频功率有关的物理量用于所述第一电极与所述第二电极之间的电极间距离同与所述射频功率有关的物理量的相关函数中，来求出所述电极间距离。