[发明专利]等离子体处理装置和电极消耗量测定方法

说明书

本发明提供一种等离子体处理装置和电极消耗量测定方法，能够不打开腔室地高精度地测定上部电极的消耗量。等离子体处理装置(100)具有相向的喷淋头(16)和载置台(2)。第一RF电源(10a)对喷淋头(16)和载置台(2)中的任一电极以不使等离子体点火的方式施加RF功率。测定器(204)测定与从第一射频电源(10a)施加的RF功率有关的物理量。工艺过程控制器(91)将测定出的与RF功率有关的物理量用于喷淋头(16)与载置台(2)之间的电极间距离同与RF功率有关的物理量的相关函数中，来求出电极间距离。

技术领域

本发明涉及一种等离子体处理装置和电极消耗量测定方法。

背景技术

以往以来，已知一种使用等离子体来对晶圆等被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置。在这样的等离子体处理装置中，例如在能够构成真空空间的处理容器内具有用于保持兼作电极的被处理体的载置台。等离子体处理装置通过对载置台施加规定的高频功率，来对被配置于载置台的被处理体进行等离子体处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-115541号公报

发明内容

发明要解决的问题

提供一种能够不打开腔室地高精度地测定上部电极的消耗量的技术。

用于解决问题的方案

在公开的等离子体处理装置和电极消耗量测定方法的一个实施方式中，等离子体处理装置具有相向的第一电极和第二电极。功率施加部对所述第一电极或所述第二电极中的任一电极以不使等离子体点火的方式施加RF(Radio Frequency：射频)功率。测定部测定与从所述功率施加部施加的所述RF功率有关的物理量。计算部将测定出的与所述RF功率有关的物理量用于所述第一电极与所述第二电极之间的电极间距离同与所述RF电压有关的物理量的相关函数中，来求出所述电极间距离。

发明的效果

根据公开的等离子体处理装置和电极消耗量测定方法的一个方式，起到能够不打开腔室地高精度地测定上部电极的消耗量这一效果。

附图说明

图1是表示等离子体处理装置的结构的概要截面图。

图2是示意性地表示上部电极和下部电极的图。

图3是简略地表示等离子体处理装置的图。

图4是表示使RF被全反射了的情况下的反射波及Vpp与RF功率的关系的图。

图5是表示测定用制程的一例的图。

图6是用于说明消耗量的计算的概要的图。

图7是利用等离子体处理装置进行的、使用了消耗量测定的等离子体蚀刻处理的流程图。

图8是表示获取基准数据时的上部顶板的配置状态的图。

图9是表示根据基准Vpp求出的相关直线的图。

图10是表示获取消耗时数据时的上部顶板的配置状态的图。

图11是标记了消耗时Vpp的状态的图。

图12是表示使用未使用过的上部顶板，改变状态来测定消耗量的情况下的测量结果的图。

图13是表示使用赋予了2mm的模拟消耗的上部顶板，改变状态来测量消耗量的情况下的测量结果的图。