[发明专利]无光陶瓷釉用低温熔块及利用该低温熔块制备无光釉陶瓷制品的制备工艺

权利要求书

1.无光陶瓷釉用低温熔块，其特征在于，由以下重量百分含量的原料组成：高岭土22~25%、硅酸钠9~15%、硝酸锌8~9%、透辉石8~10%、钛酸铝9~10%、钡长石7~8%、石英5~9%、二苯甲酮6~7%、硼钠钙石5~8%、萤石7~8%、硼砂2~3%。

2.一种利用权利要求1所述的低温熔块制备无光釉陶瓷制品的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、按照重量份分别称取各原料，原料组成由以下重量份的组分制成：氧化硅35~45份、低温熔块30~37份、氧化铝18~26份、氧化钠5~12份、氧化钾5~10份、氧化钙5~10份、氧化锂5~10份、氧化硼5~10份、氧化钡1~4份、颜料8~17份，所述低温熔块为权利要求1所述的低温熔块；

步骤2、将各原料混合后加入占其总重量1.5~3倍的水后进行球磨，球磨后过500目筛得到釉水，其筛余量为0.5%以下；

步骤3、将步骤2中得到釉水的含水量调节为65~72%后对经750~900℃下素烧5小时的陶瓷坯体进行上釉，晾干后釉层厚度为0.5~2mm，接着进行温度为1050~1150℃、时间为50~120分钟的高温烧制得到无光釉陶瓷制品。

3.根据权利要求2所述的利用低温熔块制备无光釉陶瓷制品的制备工艺，其特征在于，所述步骤2中进行球磨的速率为250~450r/min。

4.根据权利要求2所述的利用低温熔块制备无光釉陶瓷制品的制备工艺，其特征在于，所述步骤3中上釉后进行高温烧制的具体温度曲线为：以400℃/h的速率升温至650℃，接着以250℃/h的速率升温至900℃，然后以180℃/h的速率升温至1050~1150℃，保温结束后以80℃/h的速率降温至1000℃，然后以200℃/h的速率降温至最800℃，最后以100℃/h的速率降温至常温。