[发明专利]一种液封熔体法生长锑化铝晶体的方法

权利要求书

1.一种液封熔体法生长锑化铝晶体的方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：对热解氮化硼坩埚及石英坩埚进行处理；

步骤2、装料：在手套箱中先将LiCl总质量的1/2～3/4部分装入热解氮化硼坩埚中，再将按摩尔比1︰1称量的高纯铝5N与高纯锑6N装入氮化硼坩埚中；然后再向氮化硼坩埚中装入剩余部分的LiCl，氮化硼坩埚整体放入石英坩埚中，将石英坩埚整体放入封口袋，在手套箱中将封口袋热封，整体转移出手套箱；

步骤3、石英坩埚焊接：打开封口袋，快速将石英坩埚竖直对接到分子泵机组上，抽真空，至真空度≤3.5×10^-5Pa时，使用氢氧焰焊接石英坩埚；

步骤4、熔体均匀化：将石英坩埚放入布里奇曼生长炉中，升温到610℃～620℃之间，保温3～6小时，融化LiCl形成液封层，使铝和锑被充分包覆，然后升温到锑化铝熔点1058℃以上20～30℃，保温36-48小时；

步骤5、坩埚下降法生长：保温结束后，调整布里奇曼生长炉的温场，实现熔点处温度为10～15℃/cm，然后以1～2mm/h的速度下降坩埚温度，经过熔点，锑化铝晶体生长；下降结束后，降温12～16小时至150～200℃，断电炉冷，得到无明显包裹物存在，晶粒尺寸大于5×5mm²的锑化铝晶体。

2.根据权利要求1所述液封熔体法生长锑化铝晶体的方法，其特征在于：所述步骤1的氮化硼坩埚及石英坩埚的处理为：将热解氮化硼坩埚及石英坩埚用王水浸泡24～36小时，去离子水超声多次清洗，最后用去离子水冲洗干净，真空干燥。

3.根据权利要求1所述液封熔体法生长锑化铝晶体的方法，其特征在于：所述步骤1的去离子水超声多次清洗为3～5次。

4.根据权利要求1所述液封熔体法生长锑化铝晶体的方法，其特征在于：所述步骤1的去离子水超声清洗每次0.5～1小时。

5.根据权利要求1所述液封熔体法生长锑化铝晶体的方法，其特征在于：所述步骤1的真空干燥是在真空干燥箱120～150℃烘干。

6.根据权利要求1所述液封熔体法生长锑化铝晶体的方法，其特征在于：所述LiCl的纯度为99.99％。