[发明专利]真空灭弧室的外壳及真空灭弧室在审
| 申请号： | 202011332663.5 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112614734A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李小钊;赵芳帅;刘世柏;薛从军;李锟;刘心悦;亓春伟;齐大翠;王宇浩;刘畅;姚新伟;李仁峰;刘晶晶;郑乐乐;海竣超;李相兵;苏文豪;郭润涛;白丽娜;孙宇;陈高攀;霍然;汪宁;王茜 | 申请（专利权）人： | 天津平高智能电气有限公司;平高集团有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/662 | 分类号： | H01H33/662;H01H33/664 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 胡晓东 |
| 地址： | 300304 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 灭弧室 外壳 | ||
1.真空灭弧室的外壳（10），用于围成真空腔室；其特征在于，
所述外壳（10）包括：
外壳主体（11），所述外壳主体（11）为筒状结构，由陶瓷材质制成；
陶瓷屏蔽筒（12），设置在外壳主体（11）的内部，其轴向中部为主体连接部分（13），主体连接部分（13）与外壳主体（11）连为一体；
陶瓷屏蔽筒（12）还包括端部部分（14），端部部分（14）位于主体连接部分（13）的轴向两侧，所述端部部分（14）的外周面与外壳主体（11）的内壁面之间具有间隔（20）；
所述陶瓷屏蔽筒（12）位于外壳主体（11）的轴向中部，用于在使用时包围在动触头（45）和静触头（34）的结合处的外侧。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室的外壳（10），其特征在于，所述陶瓷屏蔽筒（12）与外壳主体（11）的连接部分在间隔（20）的内端形成半圆弧形底部（21）。
3.根据权利要求1或2所述的真空灭弧室的外壳（10），其特征在于，在外壳（10）的轴向上，所述陶瓷屏蔽筒（12）与外壳主体（11）之间相连部分的尺寸大于陶瓷屏蔽筒（12）整体尺寸的1/3。
4.根据权利要求1或2所述的真空灭弧室的外壳（10），其特征在于，所述陶瓷屏蔽筒（12）的内壁面在陶瓷屏蔽筒（12）轴向上为平直壁面。
5.根据权利要求1或2所述的真空灭弧室的外壳（10），其特征在于，所述陶瓷屏蔽筒（12）的内壁面与端面之间设有倒角，并且/或者，所述陶瓷屏蔽筒（12）的外周面与端面之间设有倒角。
6.真空灭弧室，包括：
外壳（10），外壳（10）上装配有动触头（45）和静触头（34）；
其特征在于，所述外壳（10）包括：
外壳主体（11），所述外壳主体（11）为筒状结构，由陶瓷材质制成；
陶瓷屏蔽筒（12），设置在外壳主体（11）的内部，其轴向中部为主体连接部分（13），主体连接部分（13）与外壳主体（11）连为一体；
陶瓷屏蔽筒（12）还包括端部部分（14），端部部分（14）位于主体连接部分（13）的轴向两侧，所述端部部分（14）的外周面与外壳主体（11）的内壁面之间具有间隔（20）；
所述陶瓷屏蔽筒（12）位于外壳主体（11）的轴向中部，包围在动触头（45）和静触头（34）的结合处的外侧。
7.根据权利要求6所述的真空灭弧室，其特征在于，所述陶瓷屏蔽筒（12）与外壳主体（11）的连接部分在间隔（20）的内端形成半圆弧形底部（21）。
8.根据权利要求6或7所述的真空灭弧室，其特征在于，在外壳（10）的轴向上，所述陶瓷屏蔽筒（12）与外壳主体（11）之间相连部分的尺寸大于陶瓷屏蔽筒（12）整体尺寸的1/3。
9.根据权利要求6或7所述的真空灭弧室，其特征在于，所述陶瓷屏蔽筒（12）的内壁面在陶瓷屏蔽筒（12）轴向上为平直壁面。
10.根据权利要求6或7所述的真空灭弧室，其特征在于，所述陶瓷屏蔽筒（12）的内壁面与端面之间设有倒角，并且/或者，所述陶瓷屏蔽筒（12）的外周面与端面之间设有倒角。
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