[发明专利]显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，包括：

准备基板的步骤；

在所述基板上形成非晶硅层的步骤；

利用氢氟酸清洗所述非晶硅层的步骤；

使清洗过的所述非晶硅层结晶化为多晶硅层的步骤；以及

在所述多晶硅层上直接形成金属层的步骤。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述金属层包括铝和铜之中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述金属层以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅层上。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

在结晶化为所述多晶硅层的步骤中，向所述基板的各区域上分别以彼此不同的能量密度照射激光束来进行结晶化。

5.根据权利要求4所述的显示装置的制造方法，其中，

所述激光束的能量密度是300mJ/cm²至500mJ/cm²。

6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述多晶硅层在表面包括3nm以下的突起。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

在利用氢氟酸清洗所述非晶硅层的步骤之后，还包括利用添加有氢的去离子水对清洗过的所述非晶硅层进行清洗的步骤。

8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，

所述金属层包括铝和铜之中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，还包括：

向所述金属层上照射光的步骤。

10.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

利用氢氟酸清洗所述非晶硅层的步骤是将所述氢氟酸喷射到所述非晶硅层上，从而去除在所述非晶硅层的表面形成的氧化膜的步骤。

11.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

所述氢氟酸包括0.5％的氟化氢。

12.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，

在准备所述基板的步骤与在所述基板上形成所述非晶硅层的步骤之间，还包括在所述基板上形成缓冲层的步骤。

13.一种显示装置的制造方法，包括：

准备定义有第一区域和第二区域的基板的步骤；

在所述基板上形成非晶硅层的步骤；

利用氢氟酸清洗所述非晶硅层的步骤；

向所述第一区域和所述第二区域上分别以彼此不同的能量密度照射激光束来使清洗过的所述非晶硅层结晶化为多晶硅层的步骤；以及

在所述多晶硅层上直接形成金属层的步骤。

14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，

所述金属层包括铝和铜之中的至少一种。

15.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，

所述金属层以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅层上。

16.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，

所述多晶硅层在表面包括3nm以下的突起。

17.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，还包括：

向所述金属层上照射光的步骤。