[发明专利]显示装置的制造方法

说明书

本发明提供一种显示装置的制造方法，包括：准备基板的步骤；在所述基板上形成非晶硅层的步骤；利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层的步骤；使所述非晶硅层结晶化为多晶硅层的步骤；以及在所述多晶硅层上直接形成金属层的步骤。

技术领域

本发明涉及显示装置的制造方法，更详细而言涉及提高了产品的可靠性的显示装置的制造方法。

背景技术

通常，如有机发光显示装置这样的显示装置具备用于驱动各像素的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由多晶硅形成的活性层。

为了利用多晶硅薄膜形成用于薄膜晶体管中的活性层，具有在基板上沉积非晶硅之后使其结晶化的方法、或者直接沉积多晶硅的方法。

但是，由于在将非晶硅结晶化为多晶硅的过程中形成的多个突起，薄膜晶体管的散布会增加，存在会识别出残像等问题。

发明内容

本发明用于解决如上所述的问题在内的各种问题，目的在于，减少薄膜晶体管的散布并防止识别出残像的情况，同时提供提高了可靠性的显示装置的制造方法。但是，这些课题是例示，并不由此来限定本发明的范围。

根据本发明的一观点，提供一种显示装置的制造方法，包括：准备基板的步骤；在所述基板上形成非晶硅层的步骤；利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层的步骤；使清洗过的所述非晶硅层结晶化为多晶硅层的步骤；以及在所述多晶硅层上直接形成金属层的步骤。

在本实施例中，可以是，所述金属层包括铝和铜之中的至少一种。

在本实施例中，可以是，所述金属层以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅层上。

在本实施例中，可以是，在结晶化为所述多晶硅层的步骤中，向所述基板的各区域上分别以彼此不同的能量密度照射激光束来进行结晶化。

在本实施例中，可以是，所述激光束的能量密度是300mJ/cm²至500mJ/cm²。

在本实施例中，可以是，所述多晶硅层在表面包括3nm以下的突起。

在本实施例中，可以是，在利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层的步骤之后，还包括利用添加有氢的去离子水对清洗过的所述非晶硅层进行清洗的步骤。

在本实施例中，可以是，所述金属层包括铝和铜之中的至少一种。

在本实施例中，可以是，还包括向所述金属层上照射光的步骤。

在本实施例中，可以是，利用氢氟酸清洗所述非晶硅层的步骤是将所述氢氟酸喷射到所述非晶硅层上，从而去除在所述非晶硅层的表面形成的氧化膜的步骤。

在本实施例中，可以是，所述氢氟酸包括约0.5％的氟化氢(hydrogen fluoride)。

在本实施例中，可以是，在准备所述基板的步骤与在所述基板上形成所述非晶硅层的步骤之间，还包括在所述基板上形成缓冲层的步骤。

根据本发明的其他观点，提供一种显示装置的制造方法，包括：准备定义有第一区域和第二区域的基板的步骤；在所述基板上形成非晶硅层的步骤；利用氢氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅层的步骤；向所述第一区域和所述第二区域上分别以彼此不同的能量密度照射激光束来使清洗过的所述非晶硅层结晶化为多晶硅层的步骤；以及在所述多晶硅层上直接形成金属层的步骤。

在本实施例中，可以是，所述金属层包括铝和铜之中的至少一种。

在本实施例中，可以是，所述金属层以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅层上。

在本实施例中，可以是，所述多晶硅层在表面包括3nm以下的突起。