[发明专利]用于CIS的富硅氧化物层制作方法

权利要求书

1.一种用于CIS的富硅氧化物层制作方法，其特征在于，所述用于CIS的富硅氧化物层制作方法包括：

提供CIS器件；

对所述CIS器件进行源、漏区杂质离子注入；

进行快速热退火处理，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散；

在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层，其中，沉积形成的所述富硅氧化物层的折射率为1.5550至1.5560。

2.如权利要求1所述的用于CIS的富硅氧化物层制作方法，其特征在于，所述进行快速热退火处理，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散的步骤包括：

在温度为1000℃至1200℃的环境下，对源、漏区杂质离子注入后的CIS器件进行快速热退火处理，处理时间为8秒至12秒，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散。

3.如权利要求1所述的用于CIS的富硅氧化物层制作方法，其特征在于，所述在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层的步骤中，沉积形成的所述富硅氧化物层的厚度为300埃至400埃。

4.如权利要求1所述的用于CIS的富硅氧化物层制作方法，其特征在于，所述在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层的步骤中，采用化学气相沉积方式沉积所述富硅氧化物层。

5.如权利要求1所述的用于CIS的富硅氧化物层制作方法，其特征在于，所述提供CIS器件的步骤中，所述CIS器件包括：至少一个P型MOS管和至少一个N型MOS管，所述P型MOS管和所述N型MOS管呈阵列式排布。

6.如权利要求5所述的用于CIS的富硅氧化物层制作方法，其特征在于，所述P型MOS管和N型MOS管均包括基底层，所述基底层包括相对的上表面和下表面；

在靠近所述上表面位置处的基底层中形成对应的阱区，在所述阱区上形成MOS管的栅极。

7.如权利要求5所述的用于CIS的富硅氧化物层制作方法，其特征在于，所述对所述CIS器件进行源、漏区杂质离子注入的步骤包括：

通过光刻工艺定义出P型MOS管和N型MOS管的源、漏区图案；

通过杂质离子注入工艺，分别向所述P型MOS管和N型MOS管的源、漏区，注入对应类型的杂质。