[发明专利]用于CIS的富硅氧化物层制作方法

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于CIS的富硅氧化物层制作方法。所述用于CIS的富硅氧化物层制作方法包括：提供CIS器件；对所述CIS器件进行源、漏区杂质离子注入；进行快速热退火处理，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散；在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层。本申请，通过先对所述CIS器件进行源、漏区杂质离子注入；再进行快速热退火处理，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散；最后在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层提供的用于CIS的富硅氧化物层制作方法，可以提高SRO层的折射率，避免因在退火过程中，SRO层的折射率会被改变降低的问题。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于CIS的富硅氧化物层制作方法。

背景技术

由于CMOS技术和工艺的迅速发张，在固态图像传感器领域里，CIS(CMOS ImageSensor，互补金属氧化物半导体图像传感器)芯片，即CMOS图像传感器得到了广泛地应用。CIS芯片包括若干呈阵列排布的光电二极管，主要通过光电二极管实现光电转换，因此光电二极管的性能对于整个成像系统有着重要的作用。

相关技术通常在光电二极管的表面制作SRO(Silicon Rich Oxide，富硅氧化物)，来减小WP(White Pixel，白色像素)问题。其中WP问题是指在无光照条件下CIS芯片产生白点，即白色像素的问题，WP问题会对CIS芯片的成像产生不良影响。

但是，相关技术在制作完SRO层后会进行CMOS器件源、漏区的注入和退火工艺，尤其是在退火过程中，SRO层的折射率会被改变降低，从而对解决白色像素问题产生不利影响。

发明内容

本申请提供了一种用于CIS的富硅氧化物层制作方法，可以提高SRO层的折射率，避免因在退火过程中，SRO层的折射率会被改变降低的问题。

本申请提供一种用于CIS的富硅氧化物层制作方法，所述用于CIS的富硅氧化物层制作方法包括：

提供CIS器件；

对所述CIS器件进行源、漏区杂质离子注入；

进行快速热退火处理，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散；

在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层。

可选的，所述进行快速热退火处理，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散的步骤包括：

在温度为1000℃至1200℃的环境下，对源、漏区杂质离子注入后的CIS器件进行快速热退火处理，处理时间为8秒至12秒，使得向源、漏区注入的杂质离子扩散。

可选的，所述在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层的步骤中，沉积形成的所述富硅氧化物层的厚度为300埃至400埃。

可选的，所述在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层的步骤中，沉积形成的所述富硅氧化物层的折射率为1.5550至1.5560。

可选的，所述在进行快速热退火处理后的CIS器件表面，沉积形成富硅氧化物层的步骤中，采用化学气相沉积方式沉积所述富硅氧化物层。

可选的，所述提供CIS器件的步骤中，所述CIS器件包括：至少一个P型MOS管和至少一个N型MOS管，所述P型MOS管和所述N型MOS管呈阵列式排布。

可选的，所述P型MOS管和N型MOS管均包括基底层，所述基底层包括相对的上表面和下表面；

在靠近所述上表面位置处的基底层中形成对应的阱区，在所述阱区上形成MOS管的栅极。

可选的，所述对所述CIS器件进行源、漏区杂质离子注入的步骤包括：