[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011334091.4 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN113206082A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 鍾政庭;陈豪育;蔡庆威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一晶体管结构，在一基板的一前侧上；
一第一背侧互连结构，在该基板的一背侧上，该第一背侧互连结构包含多个第一导体特征部，具有多个锥状侧壁，所述多个锥状侧壁具有朝远离该基板的一方向上渐缩的多个宽度；
一电源导线，延伸贯穿该基板，其中该电源导线电性耦合至该第一导体特征部；及
一第一源极/漏极触点，从该电源导线延伸至该第一晶体管结构的一第一源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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