[发明专利]半导体装置

说明书

在此揭露半导体装置中，具有缩小的临界尺寸的背侧互连结构。在一个实施例中，一种半导体装置包含：第一晶体管结构、第一背侧互连结构、电源导线与第一源极/漏极触点。第一晶体管结构在基板的前侧上。第一背侧互连结构在基板的背侧上，第一背侧互连结构包含第一导体特征部，具有锥状侧壁，锥状侧壁具有朝远离基板的方向上渐缩的宽度。电源导线延伸贯穿基板，电源导线电性耦合至第一导体特征部。第一源极/漏极触点从电源导线延伸至第一晶体管结构的第一源极/漏极区。

技术领域

本揭露的一些实施例是关于一种半导体装置，特别是关于一种包含背侧互连结构的半导体装置。

背景技术

半导体装置用于各种电子装置，例如个人计算机、手机、数字相机与其他电子设备。通常半导体装置通过以下方法制造：在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导体层与半导体材料层，并使用微影技术以图案化各种材料层，来在基板上形成电路元件与单元。

半导体工业持续减少最小特征尺寸，允许在一个给定的区域中整合更多元件，透过此方式不断提升各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度。

发明内容

在一些实施例中，一种半导体装置包含：第一晶体管结构、第一背侧互连结构、电源导线与第一源极/漏极触点。第一晶体管结构在基板的前侧上。第一背侧互连结构在基板的背侧上，第一背侧互连结构包含多个第一导体特征部，具有多个锥状侧壁，锥状侧壁具有朝远离基板的方向上渐缩的多个宽度。电源导线延伸贯穿基板，电源导线电性耦合至第一导体特征部。第一源极/漏极触点从电源导线延伸至第一晶体管结构的第一源极/漏极区。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述时，可最好地理解本揭露的态样。应注意，根据业内的标准惯例，各种特征部并未按比例绘制。事实上，为了讨论清楚起见，可任意增大或减小各种特征部的尺寸。

图1绘示根据一些实施例，一个鳍式场效晶体管的三维视图的范例；

图2A、2B、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13A、13B、13C、14A、14B、14C、15A、15B、15C、16A、16B、16C、17A、17B、17C、17D、18A、18B、18C、19A、19B、19C、20A、20B、20C、21A、21B、21C、22A、22B、22C、22D、23A、23B、23C、23D、24A、24B、24C、25A、25B、25C、26A、26B、26C、27A、27B、27C、28A、28B、28C、29A、29B、29C、30A、30B、30C、30D、31A、31B与31C是根据一些实施例，制造鳍式场效晶体管的中间阶段的剖视图。

【符号说明】

30:第二图案化遮罩

32:第一开口

34:第一衬垫

36:背侧通孔件

38:第三介电层

50:基板

52:第一接合层

53:富含掺杂剂区

54:第一图案化硬遮罩

55:鳍

58:浅沟槽隔离区

60:虚设介电层

62:虚设栅极层

64:遮罩层

68:通道区

72:虚设栅极

74:遮罩

80:第一间隔层