[发明专利]一种激光烧引线开窗的方法及基板制备方法在审

专利信息
申请号: 202011334523.1 申请日: 2020-11-24
公开(公告)号: CN112654155A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 岳长来 申请(专利权)人: 深圳和美精艺半导体科技股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;B23K26/36
代理公司: 深圳市海盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 44540 代理人: 赵雪佳
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 引线 开窗 方法 制备
【说明书】:

发明提供一种激光烧引线开窗的方法及基板制备方法,属于电路板加工技术领域。本发明激光烧引线开窗的方法,包括如下步骤:酸洗镀软金后的半成品基板板面,清除上下两面基板的脏污氧化得到洁净的待激光烧引线开窗的基板;设置激光开窗设备开窗参数;将需要激光烧引线开窗的基板按照开窗要求,放置在激光开窗设备的开窗机台上;控制激光烧除油墨引线开窗;清洗开窗后的半成品基板并使其干燥;对清洗后的半成品基板进行碱刻作业。本发明还提供一种采用所述激光烧引线开窗的方法的基板制备方法。本发明简化了开窗工艺流程,生成效率更高,从根本性解决了渗镀设计的渗镀问题,避免了阻焊后显影不净等问题。

技术领域

本发明涉及电路板加工技术领域,尤其涉及一种对基板进行激光烧引线开窗的方法,还涉及一种采用所述激光烧引线开窗的方法的基板制备方法。

背景技术

传统的引线回蚀工艺是采用阻焊开窗后引线盖干膜,再通过盖线菲林胶片对位曝光加显影来处理引线,然后对没有盖住干膜的镀金区域镀上金层,最后通过蚀刻工艺退膜蚀刻咬蚀掉引线达到线路板不会短路,工艺比较复杂。

发明内容

为解决现有技术中的问题,本发明提供一种激光烧引线开窗的方法,还提供一种采用所述激光烧引线开窗的方法的基板制备方法。

本发明激光烧引线开窗的方法,包括如下步骤:

S1:酸洗镀软金后的半成品基板板面,清除上下两面基板的脏污氧化得到洁净的待激光烧引线开窗的基板;

S2:设置激光开窗设备开窗参数;

S3:将需要激光烧引线开窗的基板按照开窗要求,放置在激光开窗设备的开窗机台上;

S4:控制激光烧除油墨引线开窗;

S5:清洗开窗后的半成品基板并使其干燥;

S6:对清洗后的半成品基板进行碱刻作业,咬蚀掉基板铜,再蚀刻掉板面露出的引线

本发明作进一步改进,步骤S1执行前,还包括激光引线开窗图形制作步骤:将待激光烧引线开窗的半层品基板上绘制引线开窗图形,然后镀软金。

本发明作进一步改进,步骤S2中,设置激光开窗设备开窗参数的处理方法为:

打开激光开窗设备系统,打开对应的引线开窗资料进行读取识别,在激光系统操作界面,设置板厚,根据不同板厚、油厚要求、引线开窗宽度设定激光光束能量及功率值,在激光烧阻焊油墨中,激光烧除能量范围为1-15毫焦,单点烧蚀时间范围为3-25微秒,设定激光次数为10000mm/s,激光时运作速度:120m/min,激光重复频率设定范围在1KHZ-100KHZ之间,激光波长设定为18±4um,激光精度设定为±0.01mm。

本发明作进一步改进,在步骤S4执行前,先进行视觉对位,与所述引线开窗图形精确对位后才进行烧除油墨引线开窗,步骤S4中,所述激光烧除油墨引线开窗时,当油墨层厚度为12-25um时,所述激光烧除能量为1-9毫焦,单点烧蚀时间为2-10微秒;当油墨层厚度为20-40um时,所述激光烧除能量为2-12毫焦,单点烧蚀时间为2-20微秒。

本发明作进一步改进,引线开窗宽度不大于150um时,设置激光光束直径等于引线开窗宽度,设置激光的角度与引线开窗资料一致,控制精密移动工作台移动在引线开窗区域移动开窗;而当所述引线开窗宽度大于150um或者不规则时,激光光束以S形折返路线沿需要烧除的引线开窗区域长度宽度方向移动。

本发明作进一步改进,步骤S6中,所述碱刻作业的处理方法为:

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