[发明专利]包括支撑件的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括单元区和与所述单元区连接的连接区，所述连接区包括多个焊盘区和位于所述多个焊盘区之间的贯穿电极区；

水平导电层，其位于所述衬底上；

支撑件，其位于所述水平导电层上，所述支撑件包括所述单元区中的第一部分、所述多个焊盘区中的第二部分和所述贯穿电极区中的第三部分；

连接导电层，其位于所述支撑件的第一部分与所述水平导电层之间；

连接模制层，其位于所述支撑件的第三部分与所述水平导电层之间；

第一埋置绝缘层，其位于所述贯穿电极区中以穿过所述第三部分、所述连接模制层和所述水平导电层；

单元沟道结构，其位于所述单元区中以穿过其中交替地堆叠有多个绝缘层和多个布线层的堆叠结构和所述第一部分，并且延伸到所述水平导电层的内部；以及

贯穿电极，其位于所述贯穿电极区中以穿过所述第一埋置绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第三部分的顶表面和所述第一部分的顶表面实质上共面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分的最上端与所述衬底的顶表面之间的距离短于所述第一部分的最上端与所述衬底的顶表面之间的距离。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二部分的底表面接触所述水平导电层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一部分的顶表面、所述第三部分的顶表面和所述第一埋置绝缘层的顶表面实质上共面。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述堆叠结构延伸到所述多个焊盘区中的每一个的内部，并且

所述多个布线层中的对应的布线层与所述第二部分之间的最小间隔大于所述对应的布线层与所述第一部分之间的最小间隔。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述堆叠结构延伸到所述多个焊盘区和所述贯穿电极区中的每一个的内部，

所述多个布线层中的每一个包括电极层和与所述电极层的侧表面连接的模制层，并且

所述电极层与所述第三部分之间的最小间隔大于所述电极层与所述第一部分之间的最小间隔。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述模制层在所述第一埋置绝缘层上对齐，并且

所述贯穿电极穿过所述模制层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述连接模制层的厚度和所述第一部分与所述水平导电层之间的间隔实质上相同。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述堆叠结构延伸到所述多个焊盘区中的每一个的内部，

所述半导体装置还包括位于所述第二部分与所述堆叠结构之间的第二埋置绝缘层，并且

所述第一部分的顶表面、所述第三部分的顶表面、所述第一埋置绝缘层的顶表面和所述第二埋置绝缘层的顶表面实质上共面。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述堆叠结构延伸到所述多个焊盘区中的每一个的内部，

所述半导体装置还包括位于所述第二部分与所述堆叠结构之间的第二埋置绝缘层，

所述第二埋置绝缘层的顶表面与所述衬底的顶表面之间的距离短于所述第一部分的最上端与所述衬底的顶表面之间的距离，并且

所述第二埋置绝缘层的顶表面与所述衬底的顶表面之间的距离短于所述第三部分的最上端与所述衬底的顶表面之间的距离。