[发明专利]包括支撑件的半导体装置及其制造方法

说明书

提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，其包括单元区和连接区。连接区包括多个焊盘区和贯穿电极区。水平导电层位于衬底上。支撑件位于水平导电层上。支撑件包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层位于第一部分与水平导电层之间。连接模制层位于第三部分与水平导电层之间。设置穿过第三部分、连接模制层和水平导电层的第一埋置绝缘层。堆叠结构位于衬底上。设置穿过第一埋置绝缘层的贯穿电极。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年1月20日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2020-0007187的优先权，该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及包括支撑件的半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

随着半导体装置高度集成，正在开发将源极线放置在衬底上并在源极线上形成堆叠结构的技术。堆叠结构可以包括交替且重复地堆叠的多个绝缘层和多个布线层。可以设置穿过堆叠结构并连接到源极线的沟道结构。多个布线层与源极线之间的泄漏电流的增加导致半导体装置的有缺陷的特性。

发明内容

本公开的示例实施例提供了半导体装置及其制造方法，其提高了生产效率和/或减小或最小化了泄漏电流。

根据本公开的示例实施例的半导体装置可以包括衬底，其包括单元区和连接区。连接区可以与单元区连接。连接区可以包括多个焊盘区和位于多个焊盘区之间的贯穿电极区。水平导电层可以位于衬底上。可以设置支撑件，其位于水平导电层上，并且包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层可以位于支撑件的第一部分与水平导电层之间。连接模制层可以位于支撑件的第三部分与水平导电层之间。可以设置第一埋置绝缘层，其位于贯穿电极区中，并且穿过第三部分、连接模制层和水平导电层。其中交替地堆叠有多个绝缘层和多个布线层的堆叠结构可以位于衬底上。可以设置单元沟道结构，其位于单元区中，穿过堆叠结构和第一部分，并且延伸到水平导电层的内部。可以设置贯穿电极，其位于贯穿电极区中，并且穿过第一埋置绝缘层。

根据本公开的示例实施例的半导体装置可以包括衬底，其包括单元区和连接区。连接区可以与单元区连接。连接区可以包括多个焊盘区和位于多个焊盘区之间的贯穿电极区。水平导电层可以位于衬底上。可以设置支撑件，其位于水平导电层上，并且包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层可以位于支撑件的第一部分与水平导电层之间。连接模制层可以位于支撑件的第三部分与水平导电层之间。可以设置第一埋置绝缘层，其位于贯穿电极区中，并且穿过第三部分、连接模制层和水平导电层。可以设置第二埋置绝缘层，其位于多个焊盘区中，并且覆盖第二部分。其中交替地堆叠有多个绝缘层和多个布线层的堆叠结构可以位于支撑件、第一埋置绝缘层和第二埋置绝缘层上。可以设置单元沟道结构，其位于单元区中，穿过堆叠结构和第一部分，并且延伸到水平导电层的内部。可以设置伪沟道结构，其位于多个焊盘区中，穿过堆叠结构、第二埋置绝缘层和第二部分，并且延伸到水平导电层的内部。可以设置贯穿电极，其位于贯穿电极区中，并且穿过堆叠结构和第一埋置绝缘层。

根据本公开的示例实施例的半导体装置可以包括衬底，其包括单元区和连接区。连接区可以与单元区连接。连接区可以包括多个焊盘区和位于多个焊盘区之间的贯穿电极区。水平导电层可以位于衬底上。可以设置支撑件，其位于水平导电层上，并且包括单元区中的第一部分、多个焊盘区中的第二部分和贯穿电极区中的第三部分。连接导电层可以位于支撑件的第一部分与水平导电层之间。连接模制层可以位于支撑件的第三部分与水平导电层之间。可以设置第一埋置绝缘层，其位于贯穿电极区中，并且穿过第三部分、连接模制层和水平导电层。可以设置第二埋置绝缘层，其位于多个焊盘区中，并且覆盖第二部分。可以设置单元沟道结构，其位于单元区中，穿过其中交替地堆叠有多个绝缘层和多个布线层的堆叠结构和第一部分，并且延伸到水平导电层的内部。可以设置贯穿电极，其位于贯穿电极区中，并且穿过第一埋置绝缘层。可以设置位线，其位于堆叠结构上，并且连接到单元沟道结构。