[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片包括透光基板、外延层、第一电极和第二电极；

所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间；

所述第一半导体层上设有一容置槽，所述容置槽的底部靠近所述发光层，且未接触所述发光层；所述容置槽中设有一金属层，所述金属层与所述第一半导体层欧姆接触；

所述第二半导体层对应所述容置槽的位置设有一斜槽，所述斜槽依次穿过所述第二半导体层、发光层和第一半导体层，并使所述金属层的表面至少部分露出；

所述透光基板与所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧结合；

所述第一电极设置于所述斜槽中，所述第二电极设置于所述第二半导体层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属层部分填充或填满所述容置槽。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：透明键合层；

所述透明键合层用于将所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧与所述透光基板结合。

4.如权利要求1-3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括绝缘层；

所述绝缘层设置于所述第二半导体层上，所述第一电极、所述第二电极分别透过贯穿所述绝缘层的第一通孔、第二通孔与所述金属层、所述第二半导体层连接。

5.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置中包括若干如权利要求1-4任一项所述的发光二极管芯片。

6.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供外延层，所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间；

在所述第一半导体层上，设置一容置槽，所述容置槽的底部未接触所述发光层；

在所述容置槽中设置一金属层，所述金属层与所述第一半导体层欧姆接触；

将所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧与一透光基板结合；

于所述第二半导体层对应所述容置槽的位置设置一斜槽；其中，所述斜槽依次穿过所述第二半导体层、发光层和第一半导体层，并使所述金属层的表面至少部分露出；

透过所述斜槽制作第一电极，并在所述第二半导体层上制作第二电极。

7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在所述提供外延层之前，还包括：

提供一衬底，并于所述衬底上生长所述外延层；

所述将所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧与一透光基板结合包括：

将所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧与所述透光基板固定连接之后，将所述衬底剥离。

8.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述将所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧与一透光基板结合包括：

通过一透明键合层，将所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧，与所述透光基板结合。

9.如权利要求6-8任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，在所述设置斜槽之后，还包括：

在所述外延层的外表面上覆盖绝缘层；

所述透过所述斜槽制作第一电极，并在所述第二半导体层上制作第二电极包括：

在所述绝缘层上与所述斜槽对应的位置开设第一通孔，所述第一通孔与所述金属层相通；在所述斜槽上设置第一电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述金属层相连；

在所述绝缘层上远离所述斜槽的位置开设第二通孔，所述第二通孔与所述第二半导体层相通；在所述通孔上设置第二电极，所述第二电极通过所述第二通孔与所述第二半导体层欧姆接触。

10.如权利要求6-8任一项所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述在所述第一半导体层上，设置一容置槽包括：

于所述第一半导体层上涂布一光阻层；

对所述光阻层进行图案化处理；

以图案化处理后的所述光阻层为掩膜，对所述第一半导体层进行蚀刻以形成所述容置槽。