[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法、显示装置

说明书

本发明涉及一种发光二极管芯片及其制作方法、显示装置。通过在第一半导体层上设置容置槽，并在容置槽中设置金属层，使得第一电极的设置长度大大缩短，斜槽的设置位置可以更浅，从而大大降低了工艺难度，而且降低了对发光层的面积损耗，使得提升了发光二极管的发光效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种发光二极管芯片及其制作方法、显示装置。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是新一代的显示技术，与相关技术中的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度以及更低的功耗，且能结合柔性面板实现柔性显示，在相关领域中有着广泛的应用。在现有的发光二极管的制作工艺中，基本结构是包括n型半导体层和p型半导体层和设置在两者之间的发光层，在设置电极时，其中一个电极需要依次穿过半导体层、发光层到另一半导体层，而为了防止该电极的金属断裂，需要通过设置斜槽的方式依次连通半导体层、发光层到另一半导体层，而这种方式设置的斜槽难度大，工艺时间长，而且的发光层面积损失严重，导致发光效率低下。

因此，如何降低对发光层面积损耗，降低工艺难度，是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片及其制作方法、显示装置，旨在解决相关技术中，发光二极管芯片的发光层面积损耗大，工艺难度高的问题。

一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括透光基板、外延层、第一电极和第二电极；

所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间；

所述第一半导体层上设有一容置槽，所述容置槽的底部未接触所述发光层；所述容置槽中设有一金属层，所述金属层与所述第一半导体层欧姆接触；

所述第二半导体层对应所述所述容置槽的位置设有一斜槽，所述斜槽依次穿过所述第二半导体层、发光层和第一半导体层，并使所述金属层的表面至少部分露出；

所述透光基板与所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧结合；

所述第一电极设置于所述斜槽中，所述第二电极设置于所述第二半导体层上。

上述发光二极管芯片，通过在第一半导体层上设置容置槽，并在容置槽中设置金属层，使得第一电极的设置长度大大缩短，斜槽的设置位置可以更浅，从而大大降低了工艺难度，而且降低了对发光层的面积损耗，使得提升了发光二极管的发光效率。

可选的，所述金属层部分填充或填满所述容置槽。

可选的，还包括：透明键合层；

所述透明键合层用于将所述第一半导体层开设有所述容置槽的一侧与所述透光基板结合。

可选的，还包括绝缘层；

所述绝缘层设置于所述第二半导体层上，所述第一电极、所述第二电极分别透过贯穿所述绝缘层的第一通孔、第二通孔与所述金属层、所述第二半导体层连接。

基于同样的发明构思，本发明还提供一种显示装置，所述显示装置中包括若干上述的发光二极管芯片。

上述显示装置由于由上述芯片制作方法制得的发光二极管芯片组成，因此该显示装置具有更高的发光效率。

基于同样的发明构思，本发明还提供一种发光二极管芯片的制作方法，包括：

提供外延层，所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层和发光层，所述发光层设置于所述第一半导体层和第二半导体层之间；

在所述第一半导体层上，设置一容置槽，所述容置槽的底部未接触所述发光层；