[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板一侧的像素电路，所述像素电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第二晶体管包括第二有源层，所述第一有源层和所述第二有源层均包括硅；

所述阵列基板还包括位于所述第一有源层远离所述衬底基板一侧的第一类无机层和第二类无机层，所述第一类无机层位于靠近所述第一有源层的一侧，所述第二类无机层位于远离所述第一有源层的一侧；

所述阵列基板还包括第一过孔，所述第一过孔至少贯穿所述第二类无机层，所述第一有源层在所述衬底基板所在平面上的垂直投影覆盖所述第一过孔靠近所述第一有源层的一端在所述衬底基板所在平面上的垂直投影；

所述第一有源层中的氢离子浓度小于所述第二有源层中的氢离子浓度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管还包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别经过第二过孔与所述第一有源层电连接；

在垂直所述衬底基板的方向上，所述第一过孔远离所述衬底基板的一端相比于所述第二过孔远离所述衬底基板的一端更靠近所述衬底基板。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管为驱动晶体管，所述第二晶体管为开关晶体管。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔贯穿所述第二类无机层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔贯穿所述第一类无机层和所述第二类无机层。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括第三晶体管，所述第三晶体管包括第三有源层，所述第三有源层包括氧化物半导体，且所述第三有源层位于所述第一有源层远离所述衬底基板的一侧；

所述第一类无机层和所述第二类无机层位于所述第一有源层所在膜层和所述第三有源层所在膜层之间。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电路还包括电容，所述电容包括对向设置的第一电容基板和第二电容基板；

所述第一晶体管还包括位于所述第一有源层远离所述衬底基板一侧的第一栅极，所述第一电容基板与所述第一栅极同层设置，所述第二电容基板位于所述第一电容基板远离所述衬底基板的一侧；

所述阵列基板还包括位于所述第一有源层与所述第一栅极之间的第一绝缘层、位于所述第一栅极与所述第二电容基板之间的第二绝缘层、位于所述第二电容基板和所述第三有源层之间的第三绝缘层；

所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的至少一层为氮化硅层，所述第一过孔贯穿所述氮化硅层。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述第二类无机层远离所述衬底基板一侧的第三类无机层，所述第三类无机层包括多层第三无机层，靠近所述第二类无机层一侧的所述第三无机层覆盖所述第二类无机层且填充所述第一过孔。