[发明专利]半导体结构及其形成方法、SRAM器件

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底、分立于所述衬底上的多个沟道叠层以及横跨多个所述沟道叠层的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述沟道叠层的部分顶壁和部分侧壁，所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层；

形成覆盖所述伪栅结构的侧壁，且露出所述伪栅结构顶部的层间介质层；

去除所述伪栅结构，在所述层间介质层中形成栅极开口；

去除所述沟道叠层顶部的一个或多个所述沟道层；

去除所述沟道叠层顶部的一个或多个的所述沟道层后，去除剩余的所述沟道层之间的所述牺牲层，形成通道；

在所述栅极开口和通道中形成栅极结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述基底包括第一区域和第二区域；

去除所述沟道叠层顶部的一个或多个所述沟道层的步骤中，去除所述第二区域的一个或多个所述沟道层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，以平行于所述衬底表面，且垂直于所述伪栅结构的延伸方向为横向，所述第二区域的伪栅结构的横向尺寸为所述第一区域的所述伪栅结构的横向尺寸的55％至95％。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二区域的一个或多个所述沟道层的步骤包括：形成覆盖所述第一区域且露出所述第二区域的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，去除所述第二区域的一个或多个所述沟道层；

所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述沟道叠层顶部的一个或多个所述沟道层后，去除所述掩膜层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层包括：有机材料层、位于所述有机材料层上的抗反射涂层以及位于所述抗反射涂层上的光刻胶层。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法包括：形成所述掩膜层后，去除所述第二区域的沟道叠层顶部的一个或多个沟道层前，在所述第二区域形成露出一个或多个所述沟道层的遮挡层；

所述半导体结构的形成方法还包括：去除所述沟道叠层顶部的一个或多个所述沟道层后，去除所述遮挡层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述遮挡层包括：有机材料层。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述沟道叠层顶部的一个所述沟道层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述沟道叠层顶部的一个或多个所述沟道层。

11.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：提供基底后，形成所述层间介质层前，刻蚀所述伪栅结构两侧的沟道叠层，在所述沟道叠层中形成沟槽；

在所述沟槽中形成源漏掺杂层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以平行于所述衬底表面，且垂直于所述伪栅结构的延伸方向为横向；

所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述沟槽后，形成所述源漏掺杂层前，横向刻蚀所述沟槽露出的所述牺牲层，形成侧壁凹槽；在所述侧壁凹槽中形成内侧墙层。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述沟槽的步骤中，以平行于所述衬底表面，且垂直于所述伪栅结构的延伸方向为横向，所述第二区域的沟道层的横向尺寸为所述第一区域的所述沟道层的横向尺寸的55％至95％。