[发明专利]一种高精密引线二次蚀刻成型方法在审
| 申请号： | 202011342154.0 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN112542389A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 戚胜利;王健;孙彬;沈洪;李晓华 | 申请（专利权）人： | 上达电子（深圳）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 张帅 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安区沙井街道黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 精密 引线 二次 蚀刻 成型 方法 | ||
1.一种高精密引线二次蚀刻成型方法，其特征在于，芯片焊盘（1）位置对应处设计金属引线（2）并与外部线路相连接，芯片焊盘（1）与金属引线（2）的重合区域为邦定区域，金属引线（2）的先端超出芯片焊盘（1）区域一定长度，包括步骤：
步骤A：在设计阶段先将金属引线（2）直接连接至产品上芯片位置内部线路或将芯片两侧的金属引线（2）互相连接，使线路不存在金属引线（2）的先端断点；
步骤B：在产品基材的铜（3）上涂布一层光刻胶（4），对涂布光刻胶（4）的产品基材进行曝光处理，利用显影液对曝光处发生分解反应的光刻胶（4）进行显影，露出下方的铜层；
步骤C：利用蚀刻液将显影后产品表面裸露的铜层进行一次蚀刻形成线路；
步骤D：利用剥膜液将蚀刻后线路表面的光刻胶进行剥离，去除光刻胶后金属引线（2）与连接的芯片内部线路构成梳子形状的线路结构；
步骤E：对一次蚀刻后的产品再次涂布光刻胶，并针对金属引线（2）与芯片内部线路连接处进行二次曝光；
步骤F：利用显影液对二次曝光处发生分解反应的光刻胶进行二次显影，露出下方的铜层（3）；
步骤G：利用蚀刻液将二次显影后产品表面裸露的铜进行二次蚀刻形成金属引线（2）先端，此时金属引线（2）线距部分受光刻胶保护，只受先端一个方向的蚀刻液侵蚀；
步骤H：利用剥膜液将二次蚀刻后线路表面的光刻胶进行剥离。
2.根据权利要求1所述的一种高精密引线二次蚀刻成型方法，其特征在于：所述的产品基材包括FPC产品、COF产品或硬板产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上达电子（深圳）股份有限公司，未经上达电子（深圳）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011342154.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防中暑宠物狗户外使用的狗屋
- 下一篇：一种磁钢灭弧的高压直流继电器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
