[发明专利]一种高精密引线二次蚀刻成型方法

说明书

本发明涉及一种高精密引线二次蚀刻成型方法，属于高精密线路板技术领域。在设计阶段先将高精密线路板上的引线连接至芯片位置内部线路或将芯片两侧的引线互相连接，经过一次蚀刻，形成线路后再次涂布光刻胶，对引线连接位置进行二次曝光，再将二次曝光处的光刻胶显影掉，再进行二次蚀刻，形成最终的引线形状，获得理想的高精密引线先端形状蚀刻效果。本发明的有益效果是：在一次蚀刻时蚀刻位置为等间距的线距，蚀刻效果良好；在二次蚀刻引线先端成型时只受到一个方向蚀刻液的侵蚀作用，邦定时获得更大的焊盘邦定面积，增大焊接后引线与芯片焊盘的结合力，减少不良品的漏检现象，提高了邦定作业时的产品良率和可靠性。提高了产品良率与可靠性。

技术领域

本发明涉及一种高精密引线二次蚀刻成型方法，属于高精密线路板技术领域。

背景技术

随着市场上电子产品对芯片处理能力要求的不断提高，封装芯片迅速向高速、集成、小型化发展。芯片上焊盘的精密化程度随之不断提高，同时与之对应的COF产品上的引线精密度需要同步提升。随着引线宽度、线距的下降，在经过线路蚀刻时药水对引线先端侵蚀作用带来的影响更加明显，导致出现封装产品可靠性下降甚至引线先端尺寸不能满足封装要求的情况。为解决上述问题，提升引线先端蚀刻精度，本发明提出一种高精密引线二次蚀刻成型方法。

现有的高精密引线加工步骤存在以下缺点：1、引线先端在进行蚀刻时由于受到三个方向的蚀刻液侵蚀，先端变细，形状呈针尖状，在进行邦定时的邦定面积减少，易造成虚焊或焊接结合力不够影响芯片邦定质量。2、由于引线先端变细，可能在芯片邦定过程中出现对引线的邦定压力造成引线断裂从而造成产品功能性不良，示意图如图10所示。3、由于引线先端变细且形状不一，在生产过程中进行自动光学检查时无法检查引线先端区域，可能造成不良品漏检的发生。4、由于引线先端线宽变小，金属引线与PI间的结合力变小，在COF产品生产及邦定加工过程中可能因产品卷曲或外力作用造成引线剥离，示意图如图11所示。5、随着引线的精密化发展，越细的线路先端受到蚀刻液的侵蚀作用越明显。

发明内容

为了克服上述现有技术的不足之处，本发明提供一种高精密引线二次蚀刻成型方法，在设计阶段先将高精密线路板上的引线连接至芯片位置内部线路或将芯片两侧的引线互相连接，经过二次蚀刻，形成最终的引线形状，获得理想的高精密引线先端形状蚀刻效果。

本发明是通过如下技术方案实现的：一种高精密引线二次蚀刻成型方法，其特征在于，芯片焊盘位置对应处设计金属引线并与外部线路相连接，芯片焊盘与金属引线的重合区域为邦定区域，金属引线的先端超出芯片焊盘区域一定长度，包括步骤：

步骤A：在设计阶段先将金属引线直接连接至产品上芯片位置内部线路或将芯片两侧的金属引线互相连接，使线路不存在金属引线的先端断点；

步骤B：在产品基材的铜上涂布一层光刻胶，对涂布光刻胶的产品基材进行曝光处理，利用显影液对曝光处发生分解反应的光刻胶进行显影，露出下方的铜层；

步骤C：利用蚀刻液将显影后产品表面裸露的铜层进行一次蚀刻形成线路；

步骤D：利用剥膜液将蚀刻后线路表面的光刻胶进行剥离，去除光刻胶后金属引线与连接的芯片内部线路构成梳子形状的线路结构；

步骤E：对一次蚀刻后的产品再次涂布光刻胶，并针对金属引线与芯片内部线路连接处进行二次曝光；

步骤F：利用显影液对二次曝光处发生分解反应的光刻胶进行二次显影，露出下方的铜层；

步骤G：利用蚀刻液将二次显影后产品表面裸露的铜进行二次蚀刻形成金属引线先端，此时金属引线线距部分受光刻胶保护，只受先端一个方向的蚀刻液侵蚀；

步骤H：利用剥膜液将二次蚀刻后线路表面的光刻胶进行剥离。

所述的产品基材包括FPC产品、COF产品或硬板产品。