[发明专利]一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法

说明书

本发明属于微电子技术与半导体器件技术领域，一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法，其中，测试方法，包括以下步骤：(1)自制测量夹具，(2)连接阻抗分析仪与测试探针台，(3)设置阻抗分析仪测量环境，(4)忆阻器件低阻态阻抗谱的测试，(5)忆阻器件高阻态阻抗谱的测试。拟合方法，包括以下步骤：(1)确定忆阻器件阻抗谱的等效电路模型，(2)获得忆阻器件阻抗谱等效电路中各元件参数，(3)导出Zview软件中的原始数据与拟合数据到origin中作图。本发明可以快速获得忆阻器件的阻抗谱，为忆阻器件薄膜微结构的研究提供了测试与分析手段，可丰富忆阻系统物理机制理论及开关机制的研究。

技术领域

本发明涉及一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法，属于微电子技术与半导体器件技术领域。

背景技术

忆阻器件具有尺寸小，读写速度快，功耗低，非易失性存储，集成度极高，与CMOS工艺兼容等优点，是第四种基本无源器件。目前如SRAM，DRAM和Flash等成熟的存储技术均采用晶体管构建存储位元，随着微电子技术与工艺集成度的不断增加，传统的CMOS工艺尺寸已经逐渐接近其物理极限，忆阻器件的出现很有可能解决这一计算存储墙问题，使摩尔定律得以延续。

阻抗谱的测量经过几十年的发展与完善，已经在电池，材料表征，电学分析等众多科研和工业生产领域取得了广泛的应用。阻抗测量方法具有测定频率范围广，精确度高，从不同角度评价并区分材料的电学性能等优点。2013年，华南理工大学王立世等人(专利号：CN 101871974B)发明了一种阻抗谱的测量方法，但测试频率范围仅可以实现1Hz-100kHz，不适用于忆阻系统的测试。

然而，目前国内外对于阻抗谱的测量与分析在忆阻系统中的应用仍然比较有限，等效电路的不唯一，复合阻抗谱每一部分的物理解释不明确等限制了阻抗谱在忆阻系统中测试表征上的分析与使用。本专利基于此提出了将阻抗谱应用于忆阻系统电学性能分析的具有普适性的测量与拟合方法，可丰富忆阻系统物理机制的研究，加速忆阻器件的商业化发展，延续摩尔定律。

发明内容

为了克服现有技术中存在的不足，本发明的目的在于分析忆阻器件阻抗谱与电阻开关机制的内在联系，为忆阻系统内部物理机制的研究提供有效合理的分析手段，即提供一种忆阻器件的阻抗谱测试与拟合方法，实现快速精确的阻抗谱测试与拟合。

为了实现上述发明目的，解决已有技术中所存在的问题，本发明采取的技术方案是：一种忆阻器件的阻抗谱测试方法，包括以下步骤：

步骤1、自制测量夹具，采用是德科技16048H测试夹具，重新组装，具体包括以下子步骤：

(a)将16048H测试夹具上的Lcur端与Lpot端经过T型转换头连接，形成第一个输出端口101；

(b)将16048H测试夹具上的Hcur端与Hpot端经过T型转换头连接，形成第二个输出端口102；

(c)将第一个输出端口101经过三同轴转换头连接，形成第三个输出端口103；

(d)将第二个输出端口102经过三同轴转换头连接，形成第四个输出端口104，测量夹具自制完成；

步骤2、连接阻抗分析仪与测试探针台，将被测器件放入测试探针台的真空腔室中，再将自制测量夹具的A端与Aglient 4294A/Keithley E4990A/HP4192A阻抗分析仪相连，自制测量夹具的B端中的103、104输出端口分别与测试探针台相连，通过自制测量夹具实现阻抗分析仪与测试探针台的连接；

步骤3、设置阻抗分析仪测量环境，首先对阻抗分析仪初始化，然后进行适配器配置，接着进行补偿校准，包括开路与短路的校准；